Tấm tăng trưởng epiticular

Tấm Semicorex để tăng trưởng epiticular, được thiết kế cho nhiệm vụ chính xác là hỗ trợ các tấm bán dẫn trong quá trình hình thành lớp epitaxy, là không thể thiếu trong các hệ thống lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD). Vai trò chiến lược của nó là tạo điều kiện thuận lợi cho việc mở rộng đồng đều và có kiểm soát các màng epiticular, đảm bảo chất lượng ổn định trên bề mặt wafer.

1. Được chế tạo chú trọng đến độ bền, Tấm tăng trưởng epiticular cung cấp một nền tảng vững chắc giúp giảm khả năng dịch chuyển hoặc hư hỏng của wafer, do đó bảo vệ tính toàn vẹn của các wafer trong các giai đoạn nhạy cảm của quá trình phát triển màng epiticular. Tấm tăng trưởng epitaxy không chỉ đóng vai trò hỗ trợ mà còn là tấm chắn cho than chì bên dưới khỏi các phản ứng hóa học mạnh và sự mài mòn có thể xảy ra trong quá trình epitaxy.

2. Việc kết hợp lớp phủ SiC trên Tấm tăng trưởng epiticular cải thiện đáng kể các đặc tính nhiệt của nó, cho phép phân tán nhiệt nhanh chóng và cân bằng, điều này rất cần thiết để hình thành lớp epiticular đồng nhất. Khả năng hấp thụ và phát nhiệt đồng đều của Tấm tăng trưởng epiticular đảm bảo môi trường ổn định nhiệt có lợi cho sự lắng đọng chính xác của màng mỏng—một yếu tố thiết yếu trong việc tạo ra các lớp epitaxy có chất lượng vượt trội, dựa trên đó hiệu quả và độ tin cậy của chất bán dẫn tiên tiến.

3. Với lớp phủ tinh thể SiC mịn, Tấm tăng trưởng epiticular mang lại bề mặt nhẵn hoàn hảo, rất quan trọng cho việc xử lý tinh tế các tấm bán dẫn. Giao diện nguyên sơ này giảm thiểu bất kỳ sự ô nhiễm bề mặt tiềm ẩn nào khi các tấm bán dẫn tiếp xúc rộng rãi trên Tấm để tăng trưởng Epiticular trong suốt quá trình.

Tóm lại, việc tận dụng Tấm Semicorex để Tăng trưởng Epiticular hứa hẹn mang lại hiệu suất ổn định và tuổi thọ sử dụng kéo dài, giảm tần suất nhu cầu thay thế. Tấm tăng trưởng Epiticular nâng cao chất lượng đầu ra một cách đáng kể, do đó giảm cả thời gian ngừng hoạt động và chi phí bảo trì, đồng thời nâng cao hiệu quả sản xuất.**