Chất mang lớp phủ RTP/RTA SiC

Chất mang lớp phủ Semicorex RTP/RTA SiC được thiết kế để chịu được các điều kiện khắc nghiệt nhất của môi trường lắng đọng. Với khả năng chịu nhiệt và chống ăn mòn cao, sản phẩm này được thiết kế để mang lại hiệu suất tối ưu cho sự tăng trưởng epiticular. Chất mang được phủ SiC có tính dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời, đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy cho RTA, RTP hoặc làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Chất mang lớp phủ SiC RTP/RTA của chúng tôi dành cho Tăng trưởng Epitaxy MOCVD là giải pháp hoàn hảo để xử lý wafer và xử lý tăng trưởng Epitaxy. Với bề mặt nhẵn và độ bền cao chống lại hóa chất tẩy rửa, sản phẩm này mang lại hiệu quả đáng tin cậy trong môi trường lắng đọng khắc nghiệt.
Vật liệu của chất mang lớp phủ RTP/RTA SiC của chúng tôi được thiết kế để ngăn chặn các vết nứt và tách lớp, trong khi khả năng chịu nhiệt vượt trội và tính đồng nhất về nhiệt đảm bảo hiệu suất ổn định cho RTA, RTP hoặc làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về hãng sơn RTP/RTA SiC của chúng tôi

Các thông số của chất mang lớp phủ RTP/RTA SiC

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của chất mang lớp phủ RTP/RTA SiC

Than chì phủ SiC có độ tinh khiết cao
Khả năng chịu nhiệt vượt trội & tính đồng nhất nhiệt
Tinh thể SiC mịn được phủ cho bề mặt nhẵn
Độ bền cao chống hóa chất tẩy rửa
Vật liệu được thiết kế để không xảy ra các vết nứt và tách lớp.