Chất nhạy cảm hành tinh ALD

Chất nhạy cảm hành tinh Semicorex ALD rất quan trọng trong thiết bị ALD do khả năng chịu được các điều kiện xử lý khắc nghiệt, đảm bảo lắng đọng màng chất lượng cao cho nhiều ứng dụng. Khi nhu cầu về các thiết bị bán dẫn tiên tiến có kích thước nhỏ hơn và hiệu suất nâng cao tiếp tục tăng, việc sử dụng Bộ cảm biến hành tinh ALD trong ALD dự kiến sẽ mở rộng hơn nữa.**

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Ứng dụng:

Lắng đọng điện môi cao k: Chất nhạy cảm hành tinh ALD cho thấy khả năng chống lại các tiền chất mạnh mẽ được sử dụng để lắng đọng các vật liệu điện môi có độ k cao như oxit hafnium (HfO2) và oxit nhôm (Al2O3). Điều này làm cho Bộ cảm biến hành tinh ALD phù hợp để chế tạo các bóng bán dẫn hiệu suất cao cho các ứng dụng logic và bộ nhớ.

Lớp kim loại hóa: Độ ổn định ở nhiệt độ cao của Chất nhạy cảm hành tinh ALD cho phép lắng đọng các lớp kim loại hóa ở nhiệt độ cao, giúp cải thiện các đặc tính của màng như điện trở suất thấp hơn và mật độ cao hơn. Điều này rất quan trọng để tạo ra các kết nối hiệu quả trong các thiết bị bán dẫn tiên tiến.

Chế tạo thiết bị quang điện tử:Bản chất trơ của Bộ cảm biến hành tinh ALD giảm thiểu các phản ứng không mong muốn với các tiền chất được sử dụng để lắng đọng các vật liệu nhạy cảm như chất bán dẫn III-V, làm cho Bộ cảm biến hành tinh ALD trở thành thiết bị hoàn hảo để sản xuất đèn LED, tia laser và các thành phần quang điện tử khác.

Chu kỳ ALD

Lắng đọng lớp nguyên tử (ALD)cung cấp một số ưu điểm chính so với các kỹ thuật lắng đọng màng mỏng khác, khiến nó ngày càng phổ biến cho các ứng dụng khác nhau, đặc biệt là trong vi điện tử và công nghệ nano.

Dưới đây là một số ưu điểm chính của ALD:

1. Kiểm soát độ dày cấp độ Angstrom:

ALD cho phép kiểm soát chính xác độ dày màng xuống mức angstrom (0,1 nanomet). Mức độ chính xác này đạt được thông qua các phản ứng bề mặt tự giới hạn, trong đó mỗi chu kỳ lắng đọng một lớp nguyên tử duy nhất.

2. Tính đồng nhất và phù hợp xuất sắc:

ALD thể hiện tính đồng nhất đặc biệt trên diện tích bề mặt lớn và cấu trúc 3D phức tạp, bao gồm các tính năng có tỷ lệ khung hình cao như rãnh và vias. Điều này rất quan trọng đối với các ứng dụng yêu cầu lớp phủ đồng nhất trên các hình học phức tạp, chẳng hạn như trong các thiết bị bán dẫn.

3. Nhiệt độ lắng đọng thấp:

ALD có thể được thực hiện ở nhiệt độ tương đối thấp (thường dưới 300°C) so với các kỹ thuật lắng đọng khác. Điều này thuận lợi cho các chất nền nhạy cảm với nhiệt và cho phép sử dụng nhiều loại vật liệu hơn.

4. Phim chất lượng cao:

ALD thường tạo ra các màng có mật độ tuyệt vời, mức tạp chất thấp và độ đồng đều cao về thành phần và độ dày. Những đặc điểm này rất cần thiết để đạt được hiệu suất tối ưu trong các ứng dụng khác nhau.

5. Lựa chọn vật liệu rộng:

ALD cung cấp nhiều lựa chọn vật liệu có thể lắng đọng, bao gồm oxit, nitrua, kim loại và sunfua. Tính linh hoạt này làm cho nó phù hợp cho một loạt các ứng dụng.

6. Khả năng mở rộng và ứng dụng công nghiệp:

Công nghệ ALD có khả năng mở rộng cao và có thể dễ dàng tích hợp vào các quy trình sản xuất hiện có. Nó tương thích với nhiều kích cỡ và hình dạng nền khác nhau, khiến nó phù hợp cho sản xuất số lượng lớn.