Tấm than chì phủ SiC

Tấm than chì phủ Semicorex SiC được thiết kế để đáp ứng các thách thức, đóng vai trò là bề mặt tiếp xúc có độ chính xác cao giữa các bộ phận làm nóng của lò phản ứng và bản thân tấm bán dẫn.

1. Nâng caoLớp phủ CVDCông nghệ:

Hiệu suất của các tấm của chúng tôi bắt nguồn từ chất lượng của lớp Silicon Carbide. Chúng tôi sử dụng quy trình lắng đọng hơi hóa học (CVD) ở nhiệt độ cao sử dụng các loại khí tiền chất có độ tinh khiết cao (thường là Methyltrichlorosilane, CH3SiCl3).

Cấu trúc tinh thể: Chúng tôi ký gửi một pha $\beta$-SiC có mật độ cao. Cấu trúc tinh thể cụ thể này mang lại độ cứng và khả năng kháng hóa chất cao nhất có thể.

Bịt kín không lỗ rỗng: Không giống như các lớp phủ phun hoặc thiêu kết, quy trình CVD của chúng tôi tạo ra bề mặt không xốp, liên kết phân tử giúp loại bỏ "bẫy khí", đảm bảo rằng môi trường lò phản ứng vẫn ở mức chân không cực cao mà không thoát ra ngoài.

Hình thái bề mặt: Lớp phủ được thiết kế với độ nhám bề mặt được kiểm soát ($R_a$), được tối ưu hóa để cung cấp đủ ma sát cho vị trí đặt wafer ổn định trong khi vẫn đủ mịn để ngăn chặn các hạt bị mắc kẹt.

2. Thiết kế cơ khí và khả năng tương thích xử lý tự động

Các lò phản ứng epitaxy hiện đại (chẳng hạn như các lò phản ứng của AMAT, TEL hoặc Aixtron) dựa vào việc xử lý bằng robot. Như đã thấy trong các tấm được gia công chính xác của chúng tôi, mọi khía và lỗ đều rất quan trọng đối với thời gian hoạt động của dụng cụ.

Các tính năng căn chỉnh tích hợp: Các tấm của chúng tôi có các rãnh và lỗ lắp được gia công bằng CNC (như trong hình ảnh sản phẩm) đảm bảo độ chính tâm hoàn hảo trong quá trình quay tốc độ cao.

Độ phẳng và tính song song: Chúng tôi duy trì dung sai độ phẳng toàn cầu là < 20μm. Điều này rất quan trọng vì bất kỳ độ nghiêng nhẹ nào của tấm đều dẫn đến sự chênh lệch nhiệt độ trên tấm bán dẫn, tạo ra các "đường trượt" và sự phát triển epiticular không đồng đều.

Tối ưu hóa khối lượng nhiệt: Bằng cách làm mỏng lõi than chì một cách chính xác, chúng tôi tối ưu hóa khối lượng nhiệt của Tấm than chì được phủ SiC, cho phép thời gian tăng tốc và giảm tốc nhanh hơn, điều này trực tiếp làm tăng số lượng lô mỗi ngày.

3. Khả năng phục hồi hóa chất trong môi trường khắc nghiệt

Quá trình epiticular vốn có tính ăn mòn. Của chúng tôiphủ SiCTấm than chì được thử nghiệm đặc biệt chống lại các loại khí xử lý và làm sạch mạnh nhất:

Điện trở hydro (H2): Ở 1.600oC, hydro có thể khắc các vật liệu tiêu chuẩn. Lớp phủ β-SiC của chúng tôi vẫn trơ, bảo vệ lõi than chì khỏi bị mỏng cấu trúc.

Làm sạch bằng hơi HCl: Để loại bỏ sự phát triển SiC “ký sinh” giữa các mẻ, lò phản ứng thường sử dụng phương pháp khắc axit HCl. Độ dày lớp phủ của chúng tôi (>100μm) mang lại "biên độ mài mòn" đáng kể, cho phép thực hiện hàng trăm chu kỳ làm sạch trước khi tấm cần được tân trang lại.

4. Tối đa hóa ROI thông qua Quản lý vòng đời

Việc chuyển sang các tấm có độ tinh khiết cao của chúng tôi mang đến một lộ trình rõ ràng để giảm Chi phí sở hữu (CoO):

Cải thiện năng suất: Giảm vùng "loại trừ cạnh" do độ đồng đều nhiệt tốt hơn.

Tuổi thọ kéo dài: Các tấm của chúng tôi thường tồn tại lâu hơn 2-3 lần so với các lựa chọn thay thế có độ tinh khiết tiêu chuẩn hoặc liên kết oxit.

Kiểm soát ô nhiễm: Dấu vết kim loại thấp hơn (Fe, Ni, Cr < 0,1 ppm) dẫn đến độ linh động sóng mang cao hơn trong thiết bị bán dẫn cuối cùng.

Lưu ý của chuyên gia: Để tối đa hóa tuổi thọ của Tấm than chì được phủ SiC, chúng tôi khuyên dùng giao thức nhiệt "khởi động mềm" cho các tấm mới để cho phép phân phối ứng suất được kiểm soát trong lớp CVD.