SiC epitaxy là gì?

Silicon carbide (SiC) epitaxy là một công nghệ then chốt trong lĩnh vực chất bán dẫn, đặc biệt là để phát triển các thiết bị điện tử công suất cao. SiC là chất bán dẫn hỗn hợp có dải cấm rộng, khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi hoạt động ở nhiệt độ cao và điện áp cao.

SiC epitaxy là một quá trình phát triển một lớp vật liệu tinh thể mỏng trên một chất nền, điển hình là silicon, sử dụng kỹ thuật lắng đọng hơi hóa học (CVD) hoặc kỹ thuật epitaxy chùm phân tử (MBE). Lớp epiticular có cấu trúc và hướng tinh thể giống như chất nền, cho phép hình thành giao diện chất lượng cao giữa hai vật liệu.

SiC epitaxy đã được sử dụng rộng rãi trong việc phát triển điện tử công suất, bao gồm các thiết bị điện như điốt, bóng bán dẫn và thyristor. Các thiết bị này được sử dụng trong nhiều ứng dụng, chẳng hạn như xe điện, hệ thống năng lượng tái tạo và nguồn điện.

Trong những năm gần đây, người ta ngày càng quan tâm đến việc phát triển SiC epitaxy để chế tạo các thiết bị năng lượng cao cho các ứng dụng như xe điện và hệ thống năng lượng tái tạo. Nhu cầu về các thiết bị này dự kiến ​​sẽ tăng nhanh trong những năm tới, do nhu cầu về các hệ thống năng lượng bền vững và hiệu quả hơn.

Để đáp ứng nhu cầu này, các nhà nghiên cứu và các công ty đang đầu tư vào việc phát triển công nghệ SiC epitaxy, tập trung vào việc cải thiện chất lượng và giảm chi phí của quy trình. Ví dụ, một số công ty đang phát triển SiC epitaxy trên các chất nền lớn hơn để giảm chi phí cho mỗi tấm wafer, trong khi những công ty khác đang khám phá các kỹ thuật mới để giảm mật độ khuyết tật.

SiC epitaxy cũng đang được sử dụng để phát triển các cảm biến tiên tiến cho nhiều ứng dụng, bao gồm cảm biến khí, cảm biến nhiệt độ và cảm biến áp suất. SiC có các đặc tính độc đáo khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng này, chẳng hạn như tính ổn định ở nhiệt độ cao và khả năng chống lại các môi trường khắc nghiệt.