Vòng khắc

Vòng khắc Semicorex là một thành phần quan trọng trong thiết bị sản xuất chất bán dẫn, đặc biệt là trong hệ thống khắc plasma. Được làm từ cacbua silic lắng đọng hơi hóa học (CVD SiC), thành phần này mang lại hiệu suất vượt trội trong môi trường plasma có yêu cầu cao, khiến nó trở thành lựa chọn không thể thiếu cho các quy trình khắc axit chính xác trong ngành bán dẫn.

Quá trình khắc, một bước cơ bản trong việc tạo ra các thiết bị bán dẫn, đòi hỏi thiết bị có thể chịu được môi trường plasma khắc nghiệt mà không bị xuống cấp. Vòng khắc, được đặt như một phần của buồng nơi plasma được sử dụng để khắc các mẫu lên các tấm silicon, đóng một vai trò quan trọng trong quá trình này.

Vòng khắc có chức năng như một hàng rào cấu trúc và bảo vệ, đảm bảo rằng plasma được chứa và định hướng chính xác ở những nơi cần thiết trong quá trình khắc. Với các điều kiện khắc nghiệt trong buồng plasma—chẳng hạn như nhiệt độ cao, khí ăn mòn và plasma mài mòn—điều cần thiết là vòng khắc phải được chế tạo từ các vật liệu có khả năng chống mài mòn và ăn mòn đặc biệt. Đây là lúc CVD SiC (Cacbua silic lắng đọng hơi hóa học) chứng tỏ giá trị của nó như một lựa chọn hàng đầu để sản xuất vòng khắc.

CVD SiC là vật liệu gốm tiên tiến được biết đến với các đặc tính cơ học, hóa học và nhiệt vượt trội. Những đặc điểm này làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng để sử dụng trong thiết bị sản xuất chất bán dẫn, đặc biệt là trong quá trình ăn mòn, nơi yêu cầu hiệu suất cao.

Độ cứng cao và chống mài mòn:

CVD SiC là một trong những vật liệu cứng nhất hiện có, chỉ đứng sau kim cương. Độ cứng cực cao này mang lại khả năng chống mài mòn tuyệt vời, khiến nó có khả năng chịu được môi trường mài mòn khắc nghiệt của quá trình khắc plasma. Vòng khắc, tiếp xúc với sự bắn phá liên tục của các ion trong quá trình này, có thể duy trì tính toàn vẹn cấu trúc của nó trong thời gian dài hơn so với các vật liệu khác, giảm tần suất thay thế.

Độ trơ hóa học:

Một trong những mối quan tâm chính trong quá trình ăn mòn là tính chất ăn mòn của khí plasma, chẳng hạn như flo và clo. Những khí này có thể gây ra sự xuống cấp đáng kể trong các vật liệu không có khả năng kháng hóa chất. Tuy nhiên, CVD SiC thể hiện tính trơ hóa học đặc biệt, đặc biệt là trong môi trường plasma chứa khí ăn mòn, do đó ngăn ngừa ô nhiễm các tấm bán dẫn và đảm bảo độ tinh khiết của quá trình ăn mòn.

Ổn định nhiệt:

Quá trình ăn mòn chất bán dẫn thường xảy ra ở nhiệt độ cao, có thể gây ra ứng suất nhiệt lên vật liệu. CVD SiC có độ ổn định nhiệt tuyệt vời và hệ số giãn nở nhiệt thấp, cho phép nó duy trì hình dạng và tính toàn vẹn cấu trúc ngay cả ở nhiệt độ cao. Điều này giảm thiểu nguy cơ biến dạng nhiệt, đảm bảo độ chính xác khắc nhất quán trong suốt chu trình sản xuất.

Độ tinh khiết cao:

Độ tinh khiết của vật liệu được sử dụng trong sản xuất chất bán dẫn là vô cùng quan trọng, vì bất kỳ sự nhiễm bẩn nào cũng có thể ảnh hưởng tiêu cực đến hiệu suất và năng suất của các thiết bị bán dẫn. CVD SiC là vật liệu có độ tinh khiết cao, giúp giảm nguy cơ đưa tạp chất vào quá trình sản xuất. Điều này góp phần mang lại năng suất cao hơn và chất lượng tổng thể tốt hơn trong sản xuất chất bán dẫn.

Vòng khắc làm bằng CVD SiC chủ yếu được sử dụng trong các hệ thống khắc plasma, được sử dụng để khắc các mẫu phức tạp lên các tấm bán dẫn. Những mẫu này rất cần thiết để tạo ra các mạch và linh kiện cực nhỏ có trong các thiết bị bán dẫn hiện đại, bao gồm bộ xử lý, chip nhớ và các thiết bị vi điện tử khác.