Chất nền oxit gali 4"

Chất nền Gallium Oxide Semicorex 4" thể hiện tính ổn định nhiệt và hóa học tuyệt vời, đảm bảo hiệu suất của nó luôn ổn định và đáng tin cậy ngay cả trong những điều kiện khắc nghiệt. Độ bền này rất quan trọng trong các ứng dụng liên quan đến nhiệt độ cao và môi trường phản ứng. Ngoài ra, Chất nền Gallium Oxide 4" duy trì độ trong suốt quang học tuyệt vời trong phạm vi bước sóng rộng từ tia cực tím đến tia hồng ngoại, khiến nó trở nên hấp dẫn đối với các ứng dụng quang điện tử bao gồm điốt phát sáng và điốt laser.

Với dải tần từ 4,7 đến 4,9 eV, Chất nền Gallium Oxide 4" vượt trội đáng kể so với Silicon Carbide (SiC) và Gallium Nitride (GaN) về cường độ điện trường tới hạn, đạt tới 8 MV/cm so với 2,5 MV/cm của SiC và Đặc tính này của GaN là 3,3 MV/cm, kết hợp với độ linh động của điện tử là 250 cm²/Vs và độ trong suốt được nâng cao khi dẫn điện, mang lại cho Chất nền Gallium Oxide 4 inch một lợi thế đáng kể trong lĩnh vực điện tử công suất. Giá trị của Baliga của nó vượt quá 3000, gấp nhiều lần so với GaN và SiC, cho thấy hiệu quả vượt trội trong các ứng dụng năng lượng.

Chất nền Gallium Oxide Semicorex 4" đặc biệt thuận lợi để sử dụng trong các phương tiện liên lạc, radar, hàng không vũ trụ, đường sắt tốc độ cao và năng lượng mới. Chúng đặc biệt thích hợp cho các cảm biến phát hiện bức xạ trong các lĩnh vực này, đặc biệt là trong các lĩnh vực năng lượng cao, nhiệt độ cao, và các thiết bị tần số cao trong đó Ga2O3 thể hiện những ưu điểm đáng kể so với SiC và GaN.