Phương pháp gỡ lỗi chính thống

Với sự tiến bộ của xử lý chất bán dẫn và nhu cầu về linh kiện điện tử ngày càng tăng, việc ứng dụng các tấm wafer siêu mỏng (độ dày dưới 100 micromet) ngày càng trở nên quan trọng. Tuy nhiên, với việc độ dày tấm wafer liên tục giảm, các tấm wafer rất dễ bị vỡ trong các quá trình tiếp theo, chẳng hạn như mài, khắc và kim loại hóa.

Công nghệ liên kết và loại bỏ liên kết tạm thời thường được áp dụng để đảm bảo hiệu suất ổn định và năng suất sản xuất của các thiết bị bán dẫn. Tấm wafer siêu mỏng được cố định tạm thời trên đế mang cứng và sau khi xử lý mặt sau, cả hai được tách ra. Quá trình tách này được gọi là khử liên kết, chủ yếu bao gồm khử liên kết nhiệt, khử liên kết bằng laser, khử liên kết hóa học và khử liên kết cơ học.

Khử liên kết nhiệt

Khử liên kết nhiệt là phương pháp tách các tấm wafer siêu mỏng khỏi chất nền bằng cách nung nóng để làm mềm và phân hủy chất kết dính liên kết, do đó làm mất đi độ bám dính của nó. Nó chủ yếu được chia thành khử liên kết trượt nhiệt và khử liên kết phân hủy nhiệt.

Quá trình khử liên kết trượt nhiệt thường liên quan đến việc nung nóng các tấm bán dẫn được liên kết đến nhiệt độ làm mềm của chúng, dao động trong khoảng từ 190°C đến 220°C. Ở nhiệt độ này, chất kết dính liên kết mất đi độ bám dính và các tấm wafer siêu mỏng có thể bị đẩy hoặc bong ra từ từ khỏi chất nền bằng lực cắt được tác dụng bởi các thiết bị nhưmâm cặp chân khôngđể đạt được sự phân tách trơn tru. Trong quá trình loại bỏ liên kết phân hủy nhiệt, các tấm wafer liên kết được nung nóng đến nhiệt độ cao hơn, gây ra sự phân hủy hóa học (phân mảnh chuỗi phân tử) của chất kết dính và mất hoàn toàn độ bám dính. Kết quả là, các tấm wafer được liên kết có thể được tách ra một cách tự nhiên mà không cần bất kỳ lực cơ học nào.

Gỡ bỏ liên kết bằng laser

Khử liên kết bằng laser là một phương pháp khử liên kết sử dụng bức xạ laser trên lớp dính của các tấm wafer được liên kết. Lớp dính hấp thụ năng lượng laser và tạo ra nhiệt, từ đó trải qua phản ứng quang phân. Cách tiếp cận này cho phép tách các tấm bán dẫn siêu mỏng khỏi chất nền ở nhiệt độ phòng hoặc nhiệt độ tương đối thấp.

Tuy nhiên, điều kiện tiên quyết quan trọng để khử liên kết bằng laser là chất nền mang phải trong suốt đối với bước sóng laser được sử dụng. Bằng cách này, năng lượng laser có thể xuyên qua thành công chất nền mang và được vật liệu lớp liên kết hấp thụ một cách hiệu quả. Vì lý do này, việc lựa chọn bước sóng laser là rất quan trọng. Các bước sóng điển hình bao gồm 248 nm và 365 nm, phải phù hợp với đặc tính hấp thụ quang của vật liệu liên kết.

Khử liên kết hóa học

Khử liên kết hóa học đạt được sự phân tách các tấm wafer liên kết bằng cách hòa tan lớp keo liên kết bằng dung môi hóa học chuyên dụng. Quá trình này đòi hỏi các phân tử dung môi thâm nhập vào lớp kết dính để gây phồng lên, phân mảnh chuỗi và cuối cùng là hòa tan, cho phép các tấm wafer siêu mỏng và chất nền mang tách ra một cách tự nhiên. Do đó, không cần thêm thiết bị gia nhiệt hoặc lực cơ học do mâm cặp chân không cung cấp, quá trình khử liên kết hóa học tạo ra ứng suất tối thiểu trên các tấm bán dẫn.

Trong phương pháp này, các tấm wafer thường được khoan trước để dung môi tiếp xúc hoàn toàn và hòa tan lớp liên kết. Độ dày của chất kết dính ảnh hưởng đến hiệu quả và tính đồng nhất của sự thâm nhập và hòa tan dung môi. Chất kết dính liên kết hòa tan chủ yếu là vật liệu gốc nhựa nhiệt dẻo hoặc polyimide biến tính, thường được áp dụng bằng cách phủ quay.

Gỡ bỏ liên kết cơ học

Quá trình khử liên kết cơ học tách các tấm wafer siêu mỏng khỏi chất nền mang tạm thời bằng cách áp dụng lực bóc tách cơ học có kiểm soát mà không cần nhiệt, dung môi hóa học hoặc tia laser. Quá trình này tương tự như bóc băng, trong đó tấm wafer được “nhấc” nhẹ nhàng thông qua hoạt động cơ học chính xác.

Semicorex cung cấp chất lượng caoMâm cặp gỡ lỗi bằng gốm xốp SIC. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com