Phân đoạn bên trong SiC MOCVD

Phân đoạn bên trong Semicorex SiC MOCVD được thiết kế để mang lại hiệu suất và độ tin cậy, cung cấp một thành phần quan trọng cho quy trình epit Wax SiC đòi hỏi khắt khe. Bằng cách tận dụng các vật liệu có độ tinh khiết cao và kỹ thuật sản xuất tiên tiến, Phân đoạn bên trong SiC MOCVD cho phép phát triển các lớp epilayer SiC chất lượng cao cần thiết cho điện tử công suất thế hệ tiếp theo và các ứng dụng bán dẫn tiên tiến khác:

Ưu điểm về vật liệu:

Phân đoạn bên trong SiC MOCVD được chế tạo bằng cách sử dụng kết hợp vật liệu mạnh mẽ và hiệu suất cao:

Chất nền Graphite có độ tinh khiết cực cao (Hàm lượng tro < 5 ppm):Chất nền than chì cung cấp nền tảng vững chắc cho phân khúc vỏ bọc. Hàm lượng tro đặc biệt thấp giúp giảm thiểu rủi ro ô nhiễm, đảm bảo độ tinh khiết của lớp biểu bì SiC trong quá trình tăng trưởng.

Lớp phủ CVD SiC có độ tinh khiết cao (Độ tinh khiết ≥ 99,99995%):Quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD) được sử dụng để phủ lớp phủ SiC đồng nhất, có độ tinh khiết cao lên nền than chì. Lớp SiC này cung cấp khả năng chống chịu vượt trội đối với các tiền chất phản ứng được sử dụng trong epit Wax SiC, ngăn ngừa các phản ứng không mong muốn và đảm bảo độ ổn định lâu dài.

Một số Các bộ phận CVD SiC MOCVD khác Vật tư Semicorex  

Ưu điểm về hiệu suất trong môi trường MOCVD:

Độ ổn định nhiệt độ cao đặc biệt:Sự kết hợp giữa than chì có độ tinh khiết cao và CVD SiC mang lại sự ổn định vượt trội ở nhiệt độ cao cần thiết cho quá trình epit Wax SiC (thường trên 1500°C). Điều này đảm bảo hiệu suất ổn định và ngăn ngừa cong vênh hoặc biến dạng khi sử dụng kéo dài.

Chống lại các tiền chất hung hãn:Phân đoạn bên trong SiC MOCVD thể hiện khả năng kháng hóa chất tuyệt vời đối với các tiền chất mạnh, chẳng hạn như silane (SiH4) và trimethylaluminum (TMAl), thường được sử dụng trong các quy trình SiC MOCVD. Điều này ngăn ngừa sự ăn mòn và đảm bảo tính toàn vẹn lâu dài của phần vỏ.

Tạo hạt thấp:Bề mặt nhẵn, không xốp của Phân đoạn bên trong SiC MOCVD giảm thiểu việc tạo ra hạt trong quá trình MOCVD. Điều này rất quan trọng để duy trì môi trường quy trình sạch sẽ và đạt được lớp epilayer SiC chất lượng cao không có khuyết tật.

Tính đồng nhất của wafer nâng cao:Các đặc tính nhiệt đồng đều của Phân đoạn bên trong SiC MOCVD, kết hợp với khả năng chống biến dạng, góp phần cải thiện độ đồng đều nhiệt độ trên tấm bán dẫn trong quá trình epit Wax. Điều này dẫn đến sự tăng trưởng đồng nhất hơn và tính đồng nhất được cải thiện của các lớp biểu bì SiC.

Tuổi thọ dịch vụ kéo dài:Các đặc tính vật liệu mạnh mẽ và khả năng chống chịu vượt trội trước các điều kiện xử lý khắc nghiệt giúp kéo dài tuổi thọ sử dụng cho Phân khúc bên trong Semicorex SiC MOCVD. Điều này làm giảm tần suất thay thế, giảm thiểu thời gian ngừng hoạt động và giảm chi phí vận hành tổng thể.