Bước vào kỷ nguyên mới của chất bán dẫn xuất sắc với Semicorex Ga2O3 Epitaxy, một giải pháp đột phá giúp xác định lại ranh giới của sức mạnh và hiệu quả. Được thiết kế với độ chính xác và sự đổi mới, epit Wax Ga2O3 cung cấp nền tảng cho các thiết bị thế hệ tiếp theo, hứa hẹn mang lại hiệu suất vượt trội trên nhiều ứng dụng khác nhau.
Epit Wax Ga2O3, có nguồn gốc từ chất bán dẫn dải rộng thế hệ thứ tư, mang đến mức độ ổn định hiệu suất và độ tin cậy mới trong môi trường khắc nghiệt. Bản chất dải rộng của nó khiến nó trở thành vật liệu được lựa chọn cho các ứng dụng nhiệt độ cao và bức xạ cao.
Cường độ trường đánh thủng cao: Hưởng lợi từ cường độ trường đánh thủng đặc biệt của Ga2O3 và giá trị Baliga nâng cao, khiến nó trở thành vật liệu vô song cho các ứng dụng điện áp cao và công suất cao. Epitaxy Ga2O3 đảm bảo độ tin cậy cao hơn và tổn thất điện năng tối thiểu.
Epitaxy Ga2O3 nổi bật với hiệu suất sử dụng năng lượng vượt trội. Tự hào với giá trị Baliga gấp bốn lần so với GaN và gấp mười lần so với SiC, nó thể hiện các đặc tính dẫn điện tuyệt vời. Các thiết bị epit Wax Ga2O3 biểu hiện tổn thất điện năng chỉ bằng 1/7 SiC và 1/49 ấn tượng so với các thiết bị dựa trên silicon.
Độ cứng thấp hơn của epit Wax Ga2O3 giúp đơn giản hóa quá trình chế tạo, dẫn đến giảm chi phí xử lý. Ưu điểm này giúp vị trí epit Wax Ga2O3 trở thành một giải pháp tiết kiệm chi phí và có thể mở rộng cho nhiều ứng dụng.