Mô tả Sản phẩm

Dấu chấm phẩyMái chèo đúc hẫng gốm SIClà những thành phần quan trọng để di chuyển các tấm wafer vào và ra khỏi lò. Chúng được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị xử lý nhiệt như lò oxy hóa, khuếch tán và lò LPCVD (Lắng đọng hơi hóa học áp suất thấp) trong sản xuất quang điện và chất bán dẫn.

Do độ bền cơ học tuyệt vời, độ ổn định nhiệt, khả năng chịu nhiệt độ cao, khả năng chống oxy hóa, khả năng chống sốc nhiệt và khả năng chống ăn mòn hóa học của cacbua silic liên kết phản ứng (RBSIC), nó phù hợp để sản xuất mái chèo đúc hẫng cacbua silic cỡ lớn.

Dấu chấm phẩygốm SICmái chèo đúc hẫng có được khả năng chịu tải cao nhờ độ bền cơ học và độ cứng vốn có của vật liệu cacbua silic liên kết phản ứng chất lượng cao (RBSiC). Có khả năng duy trì tải trọng lớn của các tấm silicon, những cánh khuấy này tối ưu hóa thông lượng cho các chu kỳ khuếch tán riêng lẻ và hỗ trợ cải thiện hiệu quả sản xuất.

Đặc tính vật liệu vượt trội của cacbua silic liên kết phản ứng cho phép cánh đúc hẫng gốm SIC có độ ổn định tuyệt vời trong môi trường vận hành ở nhiệt độ cao, đảm bảo độ đồng tâm của tấm bán dẫn silicon và ống lò, giúp các quá trình như khuếch tán và thụ động trở nên đồng đều hơn. Sự ổn định này tránh được sự biến dạng hoặc hư hỏng một cách hiệu quả đối với mái chèo đúc hẫng cacbua silic do nhiệt độ cao và tải nặng, giảm nguy cơ dẫn đến hư hỏng tấm bán dẫn silicon hoặc hỏng hóc thiết bị.

Chất lượng là ưu tiên hàng đầu của Semicorex. Tất cả các mái chèo đúc hẫng cacbua silic thành phẩm đều phải trải qua nhiều quy trình thử nghiệm, bao gồm kiểm tra độ chính xác về kích thước, đánh giá đặc tính vật liệu để đảm bảo chất lượng vượt trội của nó. Nếu bạn có nhu cầu mua hàng xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.