Thỏi SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao 4" 6"

Semicorex cung cấp phôi SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao với 4 inch và 6 inch. Chúng tôi đã là nhà sản xuất và cung cấp tấm wafer trong nhiều năm. Phôi SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao 4" 6" của chúng tôi có lợi thế về giá tốt và bao phủ hầu hết các thị trường Châu Âu và Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Phôi SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao 4" 6" của chúng tôi có lợi thế về giá tốt và bao phủ hầu hết các thị trường Châu Âu và Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.

Đặc điểm kỹ thuật thỏi SiC bán cách điện 4 inch
Mặt hàng	Lớp sản xuất	lớp giả
đa dạng	4H
Điện trở suất/ohm·cm	NA
Đường kính	100,25 ± 0,25 mm
độ dày	¥15 mm
Lỗi định hướng bề mặt	0 ± 0,2°
Định hướng phẳng chính	[1- 100]±5,0°
chiều dài phẳng chính	32,5 ± 1,5 mm
căn hộ phụ	90,0°CW từ Sơ cấp ±5,0°, mặt silicon hướng lên
Chiều dài phẳng thứ cấp	17 ± 1,5 mm
mật độ micropipe	¤1 ea/cm2	â¤10 ea/cm2
Vết nứt cạnh	â¤3 eaï¼â¤1mm/ea	â¤5 eaï¼â¤3mm/ea
khu vực đa dạng	Không có	¤5% diện tích
Thụt lề cạnh	â¤3 eaï¼â¤1mm chiều rộng và chiều sâu	â¤5 eaï¼â¤2mm chiều rộng và chiều sâu
Nhãn	mặt chữ C
bao bì	băng cassette đơn vị, đóng gói chân không

Đặc điểm kỹ thuật thỏi SiC bán cách điện 6 inch
Mặt hàng	Lớp sản xuất	lớp giả
đa dạng	4H
Điện trở suất/ohm·cm	NA
Đường kính	150,25 ± 0,25 mm
độ dày	¥10 mm
Lỗi định hướng bề mặt	0 ± 0,25°
định hướng notch	[1- 100]±5,0°
độ sâu khía	1 ~ 1,25mm
mật độ micropipe	¤1 ea/cm2	â¤10 ea/cm2
Vết nứt cạnh	â¤3 eaï¼â¤1mm/ea	â¤5 eaï¼â¤3mm/ea
khu vực đa dạng	Không có	¤5% diện tích
Thụt lề cạnh	â¤3 eaï¼â¤1mm chiều rộng và chiều sâu	â¤5 eaï¼â¤2mm chiều rộng và chiều sâu
Nhãn	mặt chữ C
bao bì	băng cassette đơn vị, đóng gói chân không