Tantalum cacbua phủ than chì xốp

Dấu chấm phẩyTantalum cacbuaThan chì xốp tráng phủ được thiết kế đặc biệt để tối ưu hóa các khía cạnh khác nhau của quá trình phát triển tinh thể SiC, bao gồm lọc thành phần hơi, điều chỉnh độ dốc nhiệt độ cục bộ, hướng dẫn hướng dòng chảy và kiểm soát rò rỉ.

Bản chất xốp của Than chì xốp được phủ Tantalum Carbide cho phép lọc hiệu quả các thành phần hơi trong quá trình phát triển tinh thể SiC. Điều này đảm bảo rằng chỉ những vật liệu mong muốn mới góp phần hình thành tinh thể, cải thiện độ tinh khiết và chất lượng tổng thể. Duy trì kiểm soát nhiệt độ chính xác là rất quan trọng trong sự phát triển của tinh thể. Than chì xốp được phủ Tantalum Carbide tăng cường độ ổn định nhiệt và độ dẫn điện của than chì xốp, cho phép điều chỉnh độ dốc nhiệt độ cục bộ chính xác hơn. Điều này dẫn đến việc kiểm soát tốt hơn hình thái tinh thể và tốc độ tăng trưởng. Thiết kế cấu trúc của Than chì xốp phủ Tantalum Carbide, kết hợp với lớp phủ TaC, tạo điều kiện thuận lợi cho dòng chất được dẫn hướng. Điều này đảm bảo rằng vật liệu được phân phối chính xác đến nơi cần thiết, thúc đẩy sự phát triển tinh thể đồng đều và giảm khả năng bị lỗi. Kiểm soát hiệu quả sự rò rỉ nguyên liệu là rất quan trọng để duy trì tính toàn vẹn của môi trường tăng trưởng. Than chì xốp được phủ bằng cacbuaTantalum cung cấp đặc tính bịt kín tuyệt vời, ngăn ngừa rò rỉ không mong muốn và đảm bảo môi trường phát triển ổn định và được kiểm soát.

Ưu điểm của than chì xốp phủ Tantalum Carbide:

Điểm nóng chảy cao và ổn định nhiệt:TaCcó điểm nóng chảy đặc biệt cao (khoảng 3880°C) và độ ổn định nhiệt tuyệt vời, khiến Than chì xốp được phủ Tantalum Carbide trở nên lý tưởng cho các ứng dụng nhiệt độ cao như tăng trưởng tinh thể SiC.

Độ trơ hóa học: TaC có khả năng chống lại các phản ứng hóa học cao, đảm bảo lớp phủ vẫn nguyên vẹn và hiệu quả ngay cả trong môi trường khắc nghiệt.

Độ bền nâng cao: Lớp phủ TaC làm tăng đáng kể độ bền của than chì xốp, kéo dài tuổi thọ hoạt động của than chì xốp được phủ Tantalum Carbide và giảm nhu cầu thay thế thường xuyên.

Độ xốp cao: Độ xốp cao của than chì cho phép lọc và kiểm soát dòng chảy hiệu quả, cần thiết cho sự phát triển tinh thể chất lượng cao.

Nhẹ và chắc: Than chì xốp vừa nhẹ vừa bền về mặt cơ học, giúp dễ dàng xử lý và có khả năng chịu được sự khắc nghiệt của quá trình phát triển tinh thể.

Độ dẫn nhiệt: Độ dẫn nhiệt tuyệt vời của than chì đảm bảo phân phối nhiệt hiệu quả, rất quan trọng để duy trì độ dốc nhiệt độ ổn định.

Semicorex Tantalum Carbide phủ xốp Graphite thể hiện sự tiến bộ đáng kể trong vật liệu tăng trưởng tinh thể SiC. Bằng cách kết hợp các đặc tính độc đáo của TaC với những ưu điểm vốn có của than chì xốp, vật liệu này mang lại hiệu suất vượt trội trong việc lọc thành phần hơi, điều chỉnh gradient nhiệt độ, dẫn hướng dòng chảy và kiểm soát rò rỉ. Độ ổn định nhiệt mạnh mẽ, độ trơ hóa học và độ bền được nâng cao khiến nó trở thành tài sản vô giá trong việc theo đuổi tinh thể SiC chất lượng cao.