Phân đoạn bìa SiC MOCVD

Phân đoạn Vỏ MOCVD của Semicorex tận dụng sự kết hợp tổng hợp của các vật liệu được chọn để hoạt động dưới nhiệt độ khắc nghiệt và khi có mặt các tiền chất có khả năng phản ứng cao. Cốt lõi của mỗi phân khúc được xây dựng từThan chì đẳng tĩnh có độ tinh khiết cao, có hàm lượng tro dưới 5 ppm. Độ tinh khiết đặc biệt này giảm thiểu rủi ro ô nhiễm tiềm ẩn, đảm bảo tính toàn vẹn của lớp biểu bì SiC đang được phát triển. Ngoại trừ nó, một áp dụng chính xácLớp phủ SiC lắng đọng hơi hóa học (CVD)tạo thành một hàng rào bảo vệ trên bề mặt than chì. Lớp có độ tinh khiết cao ( ≥ 6N ) này thể hiện khả năng chống chịu vượt trội đối với các tiền chất mạnh thường được sử dụng trong epit Wax SiC.

Các tính năng chính:

Những đặc tính vật chất này chuyển thành lợi ích hữu hình trong môi trường đòi hỏi khắt khe của SiC MOCVD:

Khả năng phục hồi nhiệt độ ổn định: Độ bền kết hợp của Phân đoạn vỏ SiC MOCVD đảm bảo tính toàn vẹn của cấu trúc và ngăn ngừa cong vênh hoặc biến dạng ngay cả ở nhiệt độ khắc nghiệt (thường vượt quá 1500°C) cần thiết cho quá trình epit Wax SiC.

Khả năng chống tấn công hóa học: Lớp CVD SiC hoạt động như một lá chắn vững chắc chống lại tính chất ăn mòn của tiền chất epit Wax SiC phổ biến, chẳng hạn như silane và trimethylaluminum. Khả năng bảo vệ này duy trì tính toàn vẹn của Phân đoạn vỏ SiC MOCVD trong quá trình sử dụng kéo dài, giảm thiểu việc tạo ra hạt và đảm bảo môi trường quy trình sạch hơn.

Thúc đẩy tính đồng nhất của tấm bán dẫn: Tính đồng nhất và ổn định nhiệt vốn có của Phân đoạn vỏ SiC MOCVD góp phần tạo ra cấu hình nhiệt độ được phân bố đồng đều hơn trên tấm bán dẫn trong quá trình epit Wax. Điều này dẫn đến sự tăng trưởng đồng nhất hơn và tính đồng nhất vượt trội của các lớp biểu mô SiC lắng đọng.

Bộ thu Aixtron G5 Nguồn cung cấp Semicorex

Lợi ích hoạt động:

Ngoài những cải tiến về quy trình, Phân khúc vỏ bọc MOCVD của Semicorex SiC còn mang lại những lợi thế vận hành đáng kể:

Tuổi thọ sử dụng kéo dài: Việc lựa chọn và xây dựng vật liệu chắc chắn giúp kéo dài tuổi thọ cho các phân đoạn vỏ, giảm nhu cầu thay thế thường xuyên. Điều này giảm thiểu thời gian ngừng hoạt động của quy trình và góp phần giảm chi phí vận hành tổng thể.

Kích hoạt epit Wax chất lượng cao: Cuối cùng, Phân đoạn vỏ SiC MOCVD tiên tiến góp phần trực tiếp vào việc sản xuất lớp epilayer SiC vượt trội, mở đường cho các thiết bị SiC hiệu suất cao hơn được sử dụng trong điện tử công suất, công nghệ RF và các ứng dụng đòi hỏi khắt khe khác.