Vai trò quan trọng của lớp epiticular trong thiết bị bán dẫn

1. Nguyên nhân xuất hiện

Trong lĩnh vực sản xuất thiết bị bán dẫn, việc tìm kiếm vật liệu có thể đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng đã liên tục đặt ra những thách thức. Đến cuối năm 1959, sự phát triển của lớp mỏngđơn tinh thểvật liệukỹ thuật tăng trưởng, được gọi làvăn biay, nổi lên như một giải pháp then chốt. Nhưng chính xác thì công nghệ epiticular đã đóng góp như thế nào cho sự tiến bộ của vật liệu, đặc biệt là silicon? Ban đầu, việc chế tạo các bóng bán dẫn silicon công suất cao, tần số cao gặp phải những trở ngại đáng kể. Từ quan điểm của các nguyên lý bóng bán dẫn, việc đạt được tần số cao và công suất cao đòi hỏi điện áp đánh thủng cao trong vùng cực thu và điện trở nối tiếp tối thiểu, dẫn đến giảm điện áp bão hòa.

Những yêu cầu này đưa ra một nghịch lý: nhu cầu về vật liệu có điện trở suất cao trong vùng cực thu để tăng điện áp đánh thủng, so với nhu cầu về vật liệu có điện trở suất thấp để giảm điện trở nối tiếp. Giảm độ dày của vật liệu vùng thu để giảm bớt điện trở nối tiếp có nguy cơ làm chotấm siliconquá dễ vỡ để xử lý. Ngược lại, việc giảm điện trở suất của vật liệu lại mâu thuẫn với yêu cầu đầu tiên. Sự ra đời củaăn chotrụclcông nghệ đã giải quyết thành công vấn đề nan giải này.

2. Giải pháp

Giải pháp liên quan đến việc phát triển lớp epiticular có điện trở suất cao trên nền có điện trở suất thấpcơ chất. Chế tạo thiết bị trênlớp epitaxyđảm bảo điện áp đánh thủng cao nhờ điện trở suất cao, trong khi chất nền có điện trở suất thấp làm giảm điện trở bazơ, từ đó làm giảm độ sụt điện áp bão hòa. Cách tiếp cận này đã dung hòa được những mâu thuẫn vốn có. Hơn nữa,văn biaycông nghệ, bao gồm cả pha hơi, pha lỏngvăn biayđối với các vật liệu như GaAs và các chất bán dẫn hợp chất phân tử nhóm III-V, II-VI khác, đã có những tiến bộ đáng kể. Những công nghệ này đã trở nên không thể thiếu để sản xuất hầu hết các thiết bị vi sóng, thiết bị quang điện tử, thiết bị điện, v.v. Đáng chú ý là sự thành công của chùm phân tử vàcơ quan kim loạic epitaxy pha hơitrong các ứng dụng như màng mỏng, siêu mạng, giếng lượng tử, siêu mạng căng và lớp nguyên tửvăn biayđã đặt nền tảng vững chắc cho lĩnh vực nghiên cứu mới về “kỹ thuật bandgap”.

3. Bảy khả năng chính củaCông nghệ epitaxy

(1) Khả năng tăng điện trở suất cao (thấp)lớp epiticulartrên chất nền có điện trở suất thấp (cao).

(2) Khả năng phát triển loại N §lớp epiticulartrên chất nền loại P (N), hình thành trực tiếp các mối nối PN mà không gặp vấn đề bù trừ liên quan đến phương pháp khuếch tán.

(3) Tích hợp công nghệ khẩu trang để phát triển có chọn lọclớp epiticularở những khu vực được chỉ định, mở đường cho việc sản xuất các mạch và thiết bị tích hợp có cấu trúc độc đáo.

(4) Tính linh hoạt trong việc thay đổi loại và nồng độ của chất dẫn xuất trong quá trình tăng trưởng, với khả năng thay đổi nồng độ đột ngột hoặc dần dần.

(5) Khả năng phát triển các lớp tiếp xúc dị thể, nhiều lớp và các lớp siêu mỏng có thành phần thay đổi.

(6) Khả năng phát triểnlớp epiticulardưới điểm nóng chảy của vật liệu, với tốc độ tăng trưởng có thể kiểm soát được, cho phép độ chính xác ở cấp độ nguyên tử.

(7) Tính khả thi của việc phát triển các lớp vật liệu đơn tinh thể khó kéo, chẳng hạn nhưGaNvà các hợp chất bậc ba hoặc bậc bốn.

Về bản chất,lớp epitaxyscung cấp cấu trúc tinh thể hoàn hảo và dễ kiểm soát hơn so với vật liệu nền, mang lại lợi ích đáng kể cho việc phát triển và ứng dụng vật liệu.**

Semicorex cung cấp các chất nền và tấm epiticular chất lượng cao. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com