Chất nền oxit gali 2"

Thiết bị điện và phát hiện ánh sáng cực tím: Khoảng cách rộng của Chất nền Gallium Oxide 2" Semicorex 2" khoảng 4,8-4,9 eV cho phép chúng hoạt động vượt trội trong các ứng dụng như máy dò tia cực tím và thiết bị điện, nơi nó thể hiện hiệu suất vượt trội trong việc quản lý các điều kiện điện áp và điện áp cao một cách hiệu quả .

Hoạt động ở nhiệt độ cao: Độ ổn định nhiệt độ cao tuyệt vời của Chất nền Gallium Oxide 2" cho phép chúng hoạt động trong môi trường lên tới 1200 độ C. Tính năng này khiến nó rất phù hợp cho các ứng dụng nhiệt độ cao, công suất cao và tần số cao , vượt trội hơn nhiều vật liệu bán dẫn khác.

Trường phân tích cao: Cường độ trường phân hủy cao của Chất nền Gallium Oxide 2" khiến chúng trở thành ứng cử viên xuất sắc cho các ứng dụng điện áp cao, nâng cao đáng kể độ tin cậy và tuổi thọ của các thiết bị như bộ chuyển đổi điện và bộ biến tần.

Kháng hóa chất: Độ ổn định hóa học cao của Chất nền Gallium Oxide 2" trong điều kiện nhiệt độ và áp suất tiêu chuẩn đảm bảo khả năng chống lại nhiều axit và bazơ, nâng cao độ bền và tuổi thọ của nó trong môi trường hóa học khắc nghiệt.

Sự kết hợp độc đáo của các đặc tính này giúp Chất nền Gallium Oxide Semicorex 2" trở thành vật liệu linh hoạt trong các lĩnh vực điện tử công suất, quang điện tử, xúc tác quang và cảm biến khí. Tiềm năng ứng dụng rộng rãi của nó là do khả năng hoạt động đáng tin cậy trong các điều kiện đầy thách thức, thúc đẩy ranh giới của khả năng bán dẫn hiện tại.