Semicorex Epitaxy Wafer Carrier cung cấp giải pháp có độ tin cậy cao cho các ứng dụng Epitaxy. Vật liệu và công nghệ phủ tiên tiến đảm bảo rằng các vật liệu mang này mang lại hiệu suất vượt trội, giảm chi phí vận hành và thời gian ngừng hoạt động do bảo trì hoặc thay thế.**
ứng dụngication:Chất mang wafer Epitaxy, được phát triển bởi Semicorex, được thiết kế đặc biệt để sử dụng trong các quy trình sản xuất chất bán dẫn tiên tiến khác nhau. Những hãng này rất phù hợp với các môi trường như:
Lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD):Trong quy trình PECVD, Chất mang tấm wafer Epit Wax đóng vai trò thiết yếu để xử lý các chất nền trong quá trình lắng đọng màng mỏng, đảm bảo chất lượng ổn định và đồng nhất.
Epitaxy silicon và SiC:Đối với các ứng dụng epit Wax silicon và SiC, trong đó các lớp mỏng được lắng đọng trên các chất nền để tạo thành cấu trúc tinh thể chất lượng cao, Chất mang wafer Epit Wafer duy trì sự ổn định trong điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt.
Thiết bị lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD):Được sử dụng để chế tạo các thiết bị bán dẫn phức hợp như đèn LED và thiết bị điện tử công suất, các thiết bị MOCVD yêu cầu các chất mang có thể duy trì nhiệt độ cao và môi trường hóa học khắc nghiệt vốn có của quy trình.
Thuận lợi:
Hiệu suất ổn định và đồng đều ở nhiệt độ cao:
Sự kết hợp giữa lớp phủ than chì đẳng hướng và cacbua silic (SiC) mang lại sự ổn định nhiệt và tính đồng nhất đặc biệt ở nhiệt độ cao. Than chì đẳng hướng cung cấp các đặc tính nhất quán theo mọi hướng, điều này rất quan trọng để đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong Chất mang wafer Epitaxy được sử dụng dưới áp suất nhiệt. Lớp phủ SiC góp phần duy trì sự phân bổ nhiệt đồng đều, ngăn ngừa các điểm nóng và đảm bảo rằng chất mang hoạt động đáng tin cậy trong thời gian dài.
Tăng cường khả năng chống ăn mòn và kéo dài tuổi thọ linh kiện:
Lớp phủ SiC, với cấu trúc tinh thể lập phương, tạo ra lớp phủ có mật độ cao. Cấu trúc này tăng cường đáng kể khả năng chống lại các khí và hóa chất ăn mòn của Chất mang wafer Epit Wafer thường gặp trong các quy trình PECVD, epit Wafer và MOCVD. Lớp phủ SiC dày đặc bảo vệ chất nền than chì bên dưới khỏi bị xuống cấp, do đó kéo dài tuổi thọ của chất mang và giảm tần suất thay thế.
Độ dày và độ che phủ lớp phủ tối ưu:
Semicorex sử dụng công nghệ phủ đảm bảo độ dày lớp phủ SiC tiêu chuẩn từ 80 đến 100 µm. Độ dày này là tối ưu để đạt được sự cân bằng giữa bảo vệ cơ học và độ dẫn nhiệt. Công nghệ này đảm bảo rằng tất cả các khu vực tiếp xúc, kể cả những khu vực có hình học phức tạp, đều được phủ đồng đều, duy trì lớp bảo vệ dày đặc và liên tục ngay cả ở những chi tiết nhỏ, phức tạp.
Độ bám dính và bảo vệ chống ăn mòn vượt trội:
Bằng cách thấm vào lớp than chì phía trên bằng lớp phủ SiC, Chất mang wafer Epitaxy đạt được độ bám dính đặc biệt giữa chất nền và lớp phủ. Phương pháp này không chỉ đảm bảo lớp phủ vẫn còn nguyên vẹn dưới tác động cơ học mà còn tăng cường khả năng chống ăn mòn. Lớp SiC liên kết chặt chẽ hoạt động như một rào cản, ngăn chặn các khí phản ứng và hóa chất tiếp cận lõi than chì, do đó duy trì tính toàn vẹn cấu trúc của chất mang khi tiếp xúc kéo dài với các điều kiện xử lý khắc nghiệt.
Khả năng phủ các hình học phức tạp:
Công nghệ phủ tiên tiến được Semicorex sử dụng cho phép ứng dụng thống nhất lớp phủ SiC trên các hình dạng phức tạp, chẳng hạn như các lỗ mù nhỏ có đường kính nhỏ tới 1 mm và độ sâu vượt quá 5 mm. Khả năng này rất quan trọng để đảm bảo sự bảo vệ toàn diện cho Chất mang wafer Epitaxy, ngay cả ở những khu vực thường khó phủ, do đó ngăn ngừa sự ăn mòn và xuống cấp cục bộ.
Giao diện lớp phủ SiC có độ tinh khiết cao và được xác định rõ:
Để xử lý các tấm bán dẫn làm bằng silicon, sapphire, cacbua silic (SiC), gali nitrit (GaN) và các vật liệu khác, độ tinh khiết cao của bề mặt lớp phủ SiC là một lợi thế chính. Lớp phủ có độ tinh khiết cao này của Chất mang wafer Epitaxy ngăn ngừa ô nhiễm và duy trì tính toàn vẹn của các tấm bán dẫn trong quá trình xử lý ở nhiệt độ cao. Giao diện được xác định rõ ràng đảm bảo độ dẫn nhiệt được tối đa hóa, cho phép truyền nhiệt hiệu quả qua lớp phủ mà không có bất kỳ rào cản nhiệt đáng kể nào.
Chức năng như một rào cản khuếch tán:
Lớp phủ SiC của Chất mang wafer Epitaxy cũng đóng vai trò như một rào cản khuếch tán hiệu quả. Nó ngăn chặn sự hấp thụ và giải hấp các tạp chất từ vật liệu than chì bên dưới, từ đó duy trì môi trường xử lý sạch sẽ. Điều này đặc biệt quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn, nơi mà ngay cả lượng tạp chất nhỏ cũng có thể tác động đáng kể đến đặc tính điện của sản phẩm cuối cùng.
Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD SIC |
||
Của cải |
Đơn vị |
Giá trị |
Kết cấu |
Giai đoạn FCC |
|
Tỉ trọng |
g/cm³ |
3.21 |
độ cứng |
Độ cứng Vickers |
2500 |
Kích thước hạt |
mm |
2~10 |
Độ tinh khiết hóa học |
% |
99.99995 |
Công suất nhiệt |
J kg-1 K-1 |
640 |
Nhiệt độ thăng hoa |
℃ |
2700 |
Sức mạnh cảm giác |
MPa (RT 4 điểm) |
415 |
Mô đun Young |
Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) |
430 |
Giãn nở nhiệt (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Độ dẫn nhiệt |
(W/mK) |
300 |