Thuyền dọc sic

Các thuyền thẳng đứng semicorex sic là người mang wafer được thiết kế, được thiết kế và sản xuất để cung cấp độ ổn định nhiệt, cơ học và hóa học cao nhất để xử lý chất bán dẫn lò dọc. Được xây dựng của độ tinh khiết caoCarbide silicon, chúng tôi tin rằng chúng là sự cân bằng tốt nhất về sức mạnh, độ bền và độ sạch để xử lý nhiệt wafer rất tiên tiến, được ghi nhận là quá trình oxy hóa, khuếch tán, LPCVD và ủ trong các hệ thống lò dọc.

Môi trường xử lý lò thẳng đứng yêu cầu một hệ thống hỗ trợ wafer có thể chịu được phơi nhiễm lặp đi lặp lại ở nhiệt độ cao, thường vượt quá 1.200 ° C và vẫn ổn định không ổn định mà không có vấn đề ô nhiễm. Các thuyền thẳng đứng SIC vượt trội trong sự mạnh mẽ của chúng trong những tình huống này vì các tính chất cơ học và nhiệt nội tại của cacbua silicon kết tinh hoặc CVD. Hệ số giãn nở nhiệt cực thấp của chúng đảm bảo sự biến dạng hoặc biến dạng tối thiểu do chu kỳ nhiệt nhanh. Ngoài ra, độ dẫn nhiệt cao, cung cấp tính đồng nhất nhiệt độ cục bộ lớn nhất trên tất cả các tấm wafer, điều này rất quan trọng đối với tính nhất quán của wafer-to hơn trong độ dày lớp, cấu hình pha tạp và hiệu suất điện; Các khía cạnh quan trọng của sản xuất khối lượng lớn trong ngành công nghiệp bán dẫn.

So với thuyền thạch anh truyền thống, thuyền dọc SIC mang lại sức mạnh cơ học vượt trội và tuổi thọ dịch vụ kéo dài. Quartz có xu hướng trở nên giòn và làm lệch hướng theo thời gian, đặc biệt là trong các hóa chất lò tích cực, dẫn đến chi phí thay thế cao hơn và gián đoạn sản xuất tiềm năng. Ngược lại, carbide silicon duy trì tính toàn vẹn của nó ngay cả sau khi tiếp xúc kéo dài với các khí ăn mòn như clo, HCl hoặc amoniac, phổ biến trong các quá trình khuếch tán và LPCVD khác nhau. Sự hao mòn đặc biệt của nó và khả năng chống oxy hóa làm giảm đáng kể việc tạo ra các hạt, giúp bảo vệ các bề mặt wafer khỏi ô nhiễm và hình thành khiếm khuyết.

Thuyền dọc SIC cũng cung cấp một lợi ích đáng kể về xử lý cực kỳ sạch sẽ. Vật liệu SIC tinh khiết cao được xử lý dưới sự siêng năng nghiêm ngặt để giảm các kim loại gây ô nhiễm dấu vết có thể nhận dạng có thể can thiệp vào các đặc tính hoạt động của các thiết bị bán dẫn. Bề mặt thuyền thẳng đứng SIC được hoàn thiện tốt với các tính năng góc phải nhằm giảm thiểu cơ hội của các hạt vi mô. Bề mặt SIC trơ về mặt hóa học và không phản ứng với các khí xử lý và do đó ít dễ bị ô nhiễm hơn. Về mặt này, các thuyền thẳng đứng SIC rất phù hợp cho mặt trước của dòng (FOL) và đầu sau của các hoạt động xử lý wafer dòng (BOL).

Thuyền dọc sic cũng cung cấp sự linh hoạt về thiết kế. Mỗi chiếc thuyền dọc có thể được thiết kế theo thiết kế để phù hợp với nhiều đường kính wafer (150 mm, 200 mm hoặc 300 mm) và số lượng khe và khoảng cách có thể được sử dụng để đáp ứng các yêu cầu của quá trình. Gia công chính xác và điều khiển kích thước cho phép căn chỉnh wafer thích hợp và hỗ trợ wafer giảm thiểu khả năng của bất kỳ vết nứt vi mô hoặc vết nứt ứng suất nào trong quá trình tải, xử lý và dỡ hàng. Ngoài ra, nếu cần có độ đồng nhất nhiệt độ vượt trội và / hoặc khối lượng nhiệt ít hơn cho một quy trình cụ thể, các thiết kế hình học và khe tối ưu hóa có thể được kết hợp trong cấu hình thuyền thẳng đứng SIC, mà không hy sinh bất kỳ tính chất cơ học nào.

Một lợi thế khác là bảo trì và hiệu quả hoạt động. Cấu trúc cứng nhắc củaSicThuyền dọc giảm thời gian và tần suất thay thế, do đó giảm thiểu thời gian chết hoặc chi phí sở hữu. Điện trở sốc nhiệt của SIC cho phép các chu kỳ sưởi và làm mát ngắn hơn để cung cấp thông lượng cao hơn trên các dây chuyền sản xuất. Việc bảo trì hoặc làm sạch thuyền dọc SIC cũng rất đơn giản; Vật liệu có thể chịu đựng hầu hết các quy trình làm sạch ướt hoặc khô thông thường phổ biến trong các FAB bán dẫn như làm sạch hóa học với axit và bánh nướng ở nhiệt độ cao.

Trong thời đại hiện đại của chế tạo chất bán dẫn tinh vi trong đó cải thiện năng suất, kiểm soát ô nhiễm và ổn định trong quá trình này đều có tầm quan trọng, các thuyền dọc SIC mang lại lợi thế công nghệ thực sự. Họ đối phó tốt với các thách thức về thể chất và hóa học của các ứng dụng lò dọc và góp phần tối ưu hóa quá trình tổng thể bằng cách cung cấp tính toàn vẹn của wafer, kết quả nhất quán và tuổi thọ lâu hơn của thiết bị.