Halfmoon được phủ Semicorex TaC mang lại những lợi thế hấp dẫn trong quá trình tăng trưởng epiticular của silic cacbua (SiC) cho các ứng dụng điện tử công suất và RF. Sự kết hợp vật liệu này giải quyết những thách thức quan trọng trong quá trình epit Wax SiC, cho phép chất lượng wafer cao hơn, cải thiện hiệu quả quy trình và giảm chi phí sản xuất. Tại Semicorex, chúng tôi chuyên sản xuất và cung cấp Halfmoon được phủ TaC hiệu suất cao, kết hợp chất lượng với hiệu quả chi phí.**
Halfmoon được phủ Semicorex TaC duy trì tính toàn vẹn về cấu trúc và độ trơ hóa học ở nhiệt độ cao (lên tới 2200°C) cần thiết cho quá trình epit Wax SiC. Điều này đảm bảo hiệu suất nhiệt ổn định và ngăn ngừa các phản ứng không mong muốn với khí xử lý hoặc nguyên liệu nguồn. Và nó có thể được thiết kế để tối ưu hóa khả năng dẫn nhiệt và phát xạ nhiệt, thúc đẩy sự phân bổ nhiệt đồng đều trên bề mặt chất nhạy cảm. Điều này dẫn đến cấu hình nhiệt độ wafer đồng nhất hơn và cải thiện tính đồng nhất về độ dày lớp epiticular và nồng độ pha tạp. Hơn nữa, hệ số giãn nở nhiệt của Halfmoon được phủ TaC có thể được điều chỉnh để phù hợp chặt chẽ với hệ số giãn nở nhiệt của SiC, giảm thiểu ứng suất nhiệt trong các chu kỳ làm nóng và làm mát. Điều này làm giảm hiện tượng cong của tấm bán dẫn và nguy cơ hình thành khuyết tật, góp phần mang lại năng suất thiết bị cao hơn.
Halfmoon được phủ TaC giúp kéo dài đáng kể tuổi thọ của thiết bị cảm biến than chì so với các lựa chọn thay thế không phủ/phủ SiC. Khả năng chống lắng đọng SiC và suy giảm nhiệt được tăng cường giúp giảm tần suất chu trình làm sạch và thay thế, giảm chi phí sản xuất tổng thể.
Lợi ích cho hiệu suất thiết bị SiC:
Độ tin cậy và hiệu suất của thiết bị được nâng cao:Tính đồng nhất được cải thiện và mật độ khuyết tật giảm trong các lớp epiticular phát triển trên Halfmoon được phủ TaC giúp mang lại hiệu suất thiết bị cao hơn và hiệu suất được cải thiện về mặt điện áp đánh thủng, điện trở và tốc độ chuyển mạch.
Giải pháp hiệu quả về chi phí cho sản xuất khối lượng lớn:Tuổi thọ kéo dài, giảm yêu cầu bảo trì và chất lượng tấm bán dẫn được cải thiện góp phần mang lại quy trình sản xuất tiết kiệm chi phí hơn cho các thiết bị nguồn SiC.
Halfmoon được phủ Semicorex TaC đóng một vai trò quan trọng trong việc thúc đẩy quá trình epit Wax SiC bằng cách giải quyết các thách thức chính liên quan đến khả năng tương thích vật liệu, quản lý nhiệt và ô nhiễm quy trình. Điều này cho phép sản xuất các tấm bán dẫn SiC chất lượng cao hơn, tạo ra các thiết bị điện tử công suất hiệu quả và đáng tin cậy hơn cho các ứng dụng trong xe điện, năng lượng tái tạo và các ngành công nghiệp đòi hỏi khắt khe khác.