Lớp phủ TaC

Gốm TaC có nhiệt độ nóng chảy cao tới 3880°C, độ cứng cao (độ cứng Mohs 9-10), độ dẫn nhiệt lớn (22W·m^-1·K⁻¹), cường độ uốn lớn (340-400MPa) và hệ số giãn nở nhiệt nhỏ (6,6 × 10^-6K-1), đồng thời thể hiện độ ổn định nhiệt hóa tuyệt vời và các tính chất vật lý tuyệt vời, vì vậy lớp phủ TaC được sử dụng rộng rãi trong bảo vệ nhiệt hàng không vũ trụ, và vật liệu tổng hợp than chì và C/C có khả năng tương thích hóa học và khả năng tương thích cơ học tốt. ), và cho thấy độ ổn định nhiệt hóa tuyệt vời và tính chất vật lý tuyệt vời, đồng thời vật liệu tổng hợp than chì và C/C có khả năng tương thích hóa học và khả năng tương thích cơ học tốt, vì vậy lớp phủ TaC được sử dụng rộng rãi trong bảo vệ nhiệt hàng không vũ trụ, tăng trưởng đơn tinh thể, năng lượng và điện tử, và các thiết bị y tế, v.v ... Than chì phủ TaC có khả năng kháng hóa chất tốt hơn than chì trần hoặc than chì phủ SiC và có thể sử dụng ổn định ở nhiệt độ cao 2600°. Độ ổn định nhiệt độ cao 2600 ° và nhiều nguyên tố kim loại không phản ứng, là thế hệ thứ ba của các kịch bản tăng trưởng đơn tinh thể bán dẫn và khắc wafer trong hiệu suất tốt nhất của lớp phủ, có thể cải thiện đáng kể quá trình kiểm soát nhiệt độ và tạp chất, chuẩn bị cao -các tấm silicon cacbua chất lượng và các tấm wafer epiticular có liên quan. Nó đặc biệt thích hợp cho thiết bị MOCVD để phát triển các tinh thể đơn GaN hoặc AlN và thiết bị PVT để phát triển các tinh thể đơn SiC và chất lượng của các tinh thể đơn đã phát triển được cải thiện đáng kể.

Theo kết quả nghiên cứu,Lớp phủ TaC có thể hoạt động như một lớp bảo vệ và cách ly để kéo dài tuổi thọ thành phần than chì, cải thiện tính đồng nhất nhiệt độ xuyên tâm, duy trì phép cân bằng hóa học thăng hoa SiC, ngăn chặn sự di chuyển tạp chất và giảm mức tiêu thụ năng lượng. Cuối cùng, bộ nồi nấu bằng than chì được phủ TaC được mong đợi sẽ cải thiện chất lượng sản phẩm và kiểm soát quy trình SiC PVT.