2023-12-18
Silicon Carbide (SiC) đã nổi lên như một vật liệu quan trọng trong lĩnh vực công nghệ bán dẫn, mang lại những đặc tính đặc biệt khiến nó rất được ưa chuộng cho các ứng dụng điện tử và quang điện tử khác nhau. Việc sản xuất các tinh thể đơn SiC chất lượng cao là rất quan trọng để nâng cao khả năng của các thiết bị như điện tử công suất, đèn LED và thiết bị tần số cao. Trong bài viết này, chúng tôi đi sâu vào tầm quan trọng của than chì xốp trong phương pháp Vận chuyển hơi vật lý (PVT) đối với sự phát triển đơn tinh thể 4H-SiC.
Phương pháp PVT là một kỹ thuật được sử dụng rộng rãi để sản xuất các tinh thể đơn SiC. Quá trình này bao gồm sự thăng hoa của vật liệu nguồn SiC trong môi trường nhiệt độ cao, sau đó là sự ngưng tụ của chúng trên tinh thể mầm để tạo thành cấu trúc tinh thể đơn. Sự thành công của phương pháp này phụ thuộc rất nhiều vào các điều kiện bên trong buồng tăng trưởng, bao gồm nhiệt độ, áp suất và vật liệu được sử dụng.
Than chì xốp, với cấu trúc và tính chất độc đáo, đóng vai trò then chốt trong việc tăng cường quá trình phát triển tinh thể SiC. Tinh thể SiC được trồng bằng phương pháp PVT truyền thống sẽ có nhiều dạng tinh thể. Tuy nhiên, sử dụng nồi nấu bằng than chì xốp trong lò có thể làm tăng đáng kể độ tinh khiết của tinh thể đơn 4H-SiC.
Việc kết hợp than chì xốp trong phương pháp PVT để tăng trưởng đơn tinh thể 4H-SiC thể hiện một tiến bộ đáng kể trong lĩnh vực công nghệ bán dẫn. Các đặc tính độc đáo của than chì xốp góp phần tăng cường dòng khí, tính đồng nhất nhiệt độ, giảm ứng suất và cải thiện khả năng tản nhiệt. Các yếu tố này cùng nhau tạo ra việc sản xuất các tinh thể đơn SiC chất lượng cao với ít khuyết tật hơn, mở đường cho sự phát triển của các thiết bị điện tử và quang điện tử hiệu quả và đáng tin cậy hơn. Khi ngành công nghiệp bán dẫn tiếp tục phát triển, việc sử dụng than chì xốp trong quá trình tăng trưởng tinh thể SiC sẵn sàng đóng vai trò then chốt trong việc định hình tương lai của vật liệu và thiết bị điện tử.