LTOI wafer

Semicorex cung cấp LTOI wafer chất lượng cao, được thiết kế cho các ứng dụng nâng cao trong các bộ lọc RF, thiết bị quang học và công nghệ MEMS. Các tấm wafer của chúng tôi có lớp lithium tantalate (LT) với phạm vi độ dày 0,3-50.

Có sẵn ở kích thước 6 inch và 8 inch, các tấm wafer này hỗ trợ các hướng tinh thể khác nhau, bao gồm các vết cắt X, Z và Y-42, cung cấp tính linh hoạt cho các yêu cầu thiết bị khác nhau. Chất nền cách điện có thể được tùy chỉnh theo SI, SIC, Sapphire,

 Spinel, hoặc thạch anh, tối ưu hóa hiệu suất cho các ứng dụng cụ thể.

Tinh thể lithium tantalate (LT, Litao3) là một vật liệu tinh thể đa chức năng quan trọng với các hiệu ứng áp điện, sắt điện, quang điện và quang điện tuyệt vời. Các tinh thể LT cấp ACOUSTIC đáp ứng các ứng dụng áp điện có thể được sử dụng để chuẩn bị các bộ cộng hưởng âm thanh băng thông rộng tần số cao, đầu dò, dòng trễ, bộ lọc và các thiết bị khác, được sử dụng trong các giao tiếp di động, truyền hình khác Các lĩnh vực quân sự.

Các thiết bị sóng âm bề mặt truyền thống (SAW) được điều chế trên các khối tinh thể đơn LT và các thiết bị lớn và không tương thích với các quy trình CMOS. Việc sử dụng các màng mỏng đơn tinh thể hiệu suất cao là một lựa chọn tốt để cải thiện sự tích hợp của các thiết bị SAW và giảm chi phí. Các thiết bị SAW dựa trên màng mỏng tinh thể đơn áp không chỉ có thể cải thiện khả năng tích hợp của các thiết bị SAW bằng cách sử dụng vật liệu bán dẫn làm chất nền, mà còn cải thiện tốc độ truyền của sóng âm bằng cách chọn chất nền silicon, sapphire hoặc kim cương tốc độ cao. Các chất nền này có thể ngăn chặn sự mất sóng trong truyền bằng cách hướng dẫn năng lượng bên trong lớp áp điện. Do đó, việc chọn quy trình chuẩn bị và tinh thể đơn áp điện bên phải là yếu tố chính để có được các thiết bị SAW hiệu suất cao, chi phí thấp và tích hợp cao.

Để đáp ứng các nhu cầu cấp thiết của thế hệ thiết bị âm thanh áp điện tiếp theo để tích hợp, thu nhỏ, tần số cao và băng thông lớn theo xu hướng phát triển của tích hợp và thu nhỏ của công nghệ CREPS. Một giải pháp và giải pháp mới để phát triển hiệu suất cao hơn và các thiết bị xử lý tín hiệu RF chi phí thấp hơn. LTOI là một công nghệ cách mạng. Các thiết bị SAW dựa trên LTOI Wafer có những ưu điểm của kích thước nhỏ, băng thông lớn, tần số hoạt động cao và tích hợp IC và có triển vọng ứng dụng thị trường rộng.

Công nghệ tước Ion Ion (CIS) có thể chuẩn bị các vật liệu màng mỏng tinh thể đơn chất lượng cao với độ dày subicron và có lợi thế của quá trình chuẩn bị có thể kiểm soát, các thông số quá trình có thể điều chỉnh như năng lượng cấy ion, liều cấy ghép và nhiệt độ ủ. Khi công nghệ CIS trưởng thành, công nghệ cắt thông minh dựa trên công nghệ CIS và công nghệ liên kết wafer không chỉ có thể cải thiện năng suất của vật liệu cơ chất, mà còn giảm thêm chi phí thông qua việc sử dụng nhiều vật liệu. Hình 1 là một sơ đồ của cấy ghép ion và liên kết wafer và bong tróc. Công nghệ cắt thông minh lần đầu tiên được phát triển bởi SOITEC ở Pháp và áp dụng cho việc chuẩn bị các tấm silicon-on-Invor cụ (SOI) chất lượng cao [18]. Công nghệ cắt thông minh không chỉ có thể tạo ra các tấm soni chất lượng cao và chi phí thấp, mà còn kiểm soát độ dày của SI trên lớp cách điện bằng cách thay đổi năng lượng cấy ion. Do đó, nó có một lợi thế mạnh mẽ trong việc chuẩn bị các vật liệu SOI. Ngoài ra, công nghệ cắt thông minh cũng có khả năng chuyển một loạt các màng tinh thể đơn sang các chất nền khác nhau. Nó có thể được sử dụng để chuẩn bị các vật liệu màng mỏng đa lớp với các chức năng và ứng dụng đặc biệt, chẳng hạn như xây dựng màng LT trên chất nền SI và chuẩn bị vật liệu màng mỏng chất lượng cao trên silicon (SI). Do đó, công nghệ này đã trở thành một phương tiện hiệu quả để chuẩn bị các màng tinh thể đơn lẻ chất lượng cao.