PBN Crucbles

Các loại hình dạng pbn pbn pyrolytic pyrolytic nitride là các thành phần được thiết kế chính xác được thiết kế để đáp ứng nhu cầu nghiêm ngặt của các quá trình nhiệt độ cao và cực kỳ pure trong các ngành công nghiệp như sản xuất chất bán dẫn, tăng trưởng tinh thể và các ứng dụng chân không. Được chế tạo thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD), PBN Crucibles cung cấp độ tinh khiết vượt trội, độ ổn định nhiệt đặc biệt và trơ hóa hóa học nổi bật, làm cho chúng trở thành vật liệu được lựa chọn trong kỹ thuật vật liệu tiên tiến.

Do boron nitride có hệ số giãn nở nhiệt tương đương với thạch anh, nhưng độ dẫn nhiệt của nó gấp 10 lần so với sau này, nó có khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời, có thể làm giảm nguy cơ bị nứt do thay đổi nhiệt độ nhanh và có thể được đạp nhiều lần ở mức 20 ~ 1200 ℃ mà không gặp vấn đề gì. Ngoài ra, boron nitride không phản ứng với axit, kiềm, thủy tinh và hầu hết các kim loại, và có cường độ cơ học thấp, chỉ cao hơn một chút so với than chì, nhưng không làm mềm dưới tải ở nhiệt độ cao và có thể được xử lý bằng máy chế biến kim loại chung. Do đó, nó thực sự phù hợp để sử dụng như một ống kim loại, bình, bình kim loại lỏng và khuôn để đúc bằng thép để làm tan chảy và bay hơi kim loại.

Nó thường được thực hiện bởi sự lắng đọng hơi hóa học bằng cách sử dụng khí chứa boron (BCL3 hoặc B2H6) làm nguyên liệu thô, nhưng vì B2H6 rất độc, BCL3 hiện được sử dụng làm nguyên liệu thô. Khí chứa boron trải qua quá trình nhiệt phân (1500 ~ 1800) và phản ứng với NH3 trong buồng phản ứng nhiệt độ cao để tạo thành nitride boron rắn. Bởi vì quá trình nhiệt phân xảy ra trong quá trình phản ứng, nó cũng được gọi làBoron nitride pyrolyticTái phối (thường được gọi là PBN Crucbles).

Quá trình tăng trưởng của vật liệu tương tự như "tuyết rơi", nghĩa là những bông tuyết BN hình lục giác được trồng trong phản ứng liên tục được chất đống trên đế than chì nóng (khuôn lõi). Thời gian trôi qua, lớp tích lũy dày lên, tạo thành vỏ PBN. Việc hủy bỏ là một thành phần PBN độc lập, tinh khiết và lớp phủ PBN được để lại trên đó. Vì các hình chữ thập PBN không cần phải trải qua quá trình thiêu kết ép nóng truyền thống và không cần phải thêm bất kỳ tác nhân thiêu kết nào, nên nó có độ tinh khiết rất cao (hơn 99,99%) và nhiệt độ hoạt động dưới chân không cao tới 1800 độ và nhiệt độ hoạt động dưới sự bảo vệ của khí quyển. Nó chủ yếu được sử dụng trong sự phát triển của tia bay hơi/dầm phân tử (MBE)/GAAs tinh thể và các mục đích khác.