Tấm khắc plasma ICP

Tấm khắc plasma ICP của Semicorex cung cấp khả năng chống ăn mòn và nhiệt vượt trội cho quá trình xử lý wafer và lắng đọng màng mỏng. Sản phẩm của chúng tôi được thiết kế để chịu được nhiệt độ cao và hóa chất tẩy rửa khắc nghiệt, đảm bảo độ bền và tuổi thọ. Với bề mặt sạch và nhẵn, chất mang của chúng tôi là lựa chọn hoàn hảo để xử lý các tấm wafer nguyên sơ.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Khi nói đến việc lắng đọng màng mỏng và xử lý wafer, hãy tin tưởng vào Tấm khắc plasma ICP ICP của Semicorex. Sản phẩm của chúng tôi cung cấp khả năng chống ăn mòn và nhiệt vượt trội, đồng đều nhiệt và mô hình dòng khí tối ưu. Với bề mặt sạch và nhẵn, chất mang của chúng tôi rất lý tưởng để xử lý các tấm wafer nguyên sơ.

Tấm khắc plasma ICP của chúng tôi được thiết kế để đạt được mô hình dòng khí thành lớp tốt nhất, đảm bảo sự đồng đều của cấu hình nhiệt. Điều này giúp ngăn ngừa bất kỳ sự nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất nào, đảm bảo sự tăng trưởng epiticular chất lượng cao trên chip wafer.

Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Tấm khắc plasma ICP của chúng tôi.

Các thông số của tấm khắc plasma ICP

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300