Tấm khắc plasma ICP

Tấm khắc plasma ICP của Semicorex cung cấp khả năng chịu nhiệt và ăn mòn vượt trội cho quá trình xử lý tấm bán dẫn và lắng đọng màng mỏng. Sản phẩm của chúng tôi được thiết kế để chịu được nhiệt độ cao và làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt, đảm bảo độ bền và tuổi thọ cao. Với bề mặt sạch và mịn, tàu sân bay của chúng tôi là lựa chọn hoàn hảo để xử lý các tấm bán dẫn nguyên sơ.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Khi nói đến lắng đọng màng mỏng và xử lý wafer, hãy tin tưởng Tấm khắc plasma ICP của Semicorex. Sản phẩm của chúng tôi mang lại khả năng chịu nhiệt và ăn mòn vượt trội, đồng đều nhiệt và mô hình dòng khí tầng tối ưu. Với bề mặt sạch và mịn, tàu sân bay của chúng tôi là lựa chọn hoàn hảo để xử lý các tấm bán dẫn nguyên sơ.

Tấm khắc plasma ICP của chúng tôi được thiết kế để đạt được kiểu dòng khí tốt nhất, đảm bảo độ đồng đều của biên dạng nhiệt. Điều này giúp ngăn ngừa bất kỳ sự nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất nào, đảm bảo sự phát triển epiticular chất lượng cao trên chip wafer.

Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Tấm khắc plasma ICP của chúng tôi.

Các thông số của tấm khắc plasma ICP

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC
Tỉ trọng	g/cm³	3.21
độ cứng	Độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	mm	2~10
Độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Công suất nhiệt	J kg-1 K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh cảm giác	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun của Young	Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Độ dẫn nhiệt	(W/mK)	300