Về khuyết tật trong tinh thể SiC - Micropipe

Chất nền SiC có thể có các khuyết tật vi mô, chẳng hạn như Trật khớp vít ren (TSD), Trật khớp cạnh ren (TED), Trật khớp mặt phẳng cơ sở (BPD) và các khuyết tật khác. Những khiếm khuyết này là do sự sai lệch trong cách sắp xếp các nguyên tử ở cấp độ nguyên tử. Tinh thể SiC cũng có thể có các sai lệch vĩ mô, như thể vùi Si hoặc C, micropipe, lỗ rỗng lục giác, đa hình, v.v. Những sai lệch này thường có kích thước lớn.

Một trong những vấn đề chính trong sản xuất thiết bị SiC là các cấu trúc vi mô ba chiều được gọi là "vi ống" hoặc "lỗ kim", thường có kích thước tương ứng là 30-40um và 0,1-5um. Những ống vi mô này có mật độ 10-10³/cm2 và có thể xuyên qua lớp epitaxy, dẫn đến các khuyết tật gây chết thiết bị. Chúng chủ yếu được gây ra bởi sự tập trung các trật khớp spiro và được coi là trở ngại chính trong việc phát triển các thiết bị SiC.

Các khuyết tật vi ống trên chất nền là nguồn gốc của các khuyết tật khác được hình thành trong lớp epitaxy trong quá trình phát triển, chẳng hạn như các lỗ rỗng, các thể vùi của các dạng đa hình khác nhau, các thể song sinh, v.v. Do đó, điều quan trọng nhất cần làm trong quá trình phát triển của vật liệu nền đối với các thiết bị SiC điện áp cao và công suất cao là để giảm sự hình thành các khuyết tật vi ống trong các tinh thể SiC số lượng lớn và ngăn chúng xâm nhập vào lớp epiticular.

Micropipe có thể được xem như những hố nhỏ, và bằng cách tối ưu hóa các điều kiện của quy trình, chúng ta có thể “lấp đầy các hố” để giảm mật độ của micropipe. Một số nghiên cứu trong tài liệu và dữ liệu thực nghiệm đã chỉ ra rằng epit Wax bay hơi, tăng trưởng CVD và epit Wax pha lỏng có thể lấp đầy micropipe và làm giảm sự hình thành micropipe và trật khớp.

Semicorex sử dụng kỹ thuật MOCVD để tạo ra lớp phủ SiC giúp giảm mật độ micropipe một cách hiệu quả, mang lại sản phẩm chất lượng hàng đầu. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com