Thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD), Semicorex CVD SiC Focus Ring được lắng đọng một cách tỉ mỉ và xử lý cơ học để đạt được sản phẩm cuối cùng. Với đặc tính vật liệu vượt trội, nó không thể thiếu trong môi trường chế tạo chất bán dẫn hiện đại đòi hỏi khắt khe.**
Quy trình lắng đọng hơi hóa học nâng cao (CVD)
Quy trình CVD được sử dụng trong quá trình sản xuất Vòng lấy nét CVD SiC bao gồm việc lắng đọng chính xác SiC thành các hình dạng cụ thể, sau đó là quá trình xử lý cơ học nghiêm ngặt. Phương pháp này đảm bảo rằng các thông số điện trở suất của vật liệu là nhất quán nhờ tỷ lệ vật liệu cố định được xác định sau quá trình thử nghiệm rộng rãi. Kết quả là vòng lấy nét có độ tinh khiết và đồng nhất vô song.
Kháng huyết tương vượt trội
Một trong những thuộc tính hấp dẫn nhất của Vòng lấy nét CVD SiC là khả năng chống plasma đặc biệt. Do các vòng lấy nét tiếp xúc trực tiếp với plasma bên trong buồng phản ứng chân không, nên nhu cầu về một loại vật liệu có khả năng chịu đựng những điều kiện khắc nghiệt như vậy là điều tối quan trọng. SiC, với độ tinh khiết 99,9995%, không chỉ có cùng tính dẫn điện như silicon mà còn có khả năng chống ăn mòn ion vượt trội, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho thiết bị khắc plasma.
Mật độ cao và khối lượng khắc giảm
So với các vòng lấy nét bằng silicon (Si), Vòng lấy nét CVD SiC có mật độ cao hơn, giúp giảm đáng kể khối lượng khắc. Đặc tính này rất quan trọng trong việc kéo dài tuổi thọ của vòng lấy nét và duy trì tính toàn vẹn của quy trình sản xuất chất bán dẫn. Khối lượng khắc giảm dẫn đến ít gián đoạn hơn và chi phí bảo trì thấp hơn, cuối cùng là nâng cao hiệu quả sản xuất.
Bandgap rộng và cách nhiệt tuyệt vời
Khoảng cách rộng của SiC cung cấp các đặc tính cách điện tuyệt vời, rất cần thiết trong việc ngăn chặn các dòng điện không mong muốn can thiệp vào quá trình ăn mòn. Đặc điểm này đảm bảo rằng vòng lấy nét duy trì hiệu suất trong thời gian dài, ngay cả trong những điều kiện khó khăn nhất.
Độ dẫn nhiệt và khả năng chống sốc nhiệt
Vòng lấy nét CVD SiC thể hiện tính dẫn nhiệt cao và hệ số giãn nở thấp, khiến chúng có khả năng chống sốc nhiệt cao. Những đặc tính này đặc biệt có lợi trong các ứng dụng liên quan đến xử lý nhiệt nhanh (RTP), trong đó vòng lấy nét phải chịu được các xung nhiệt cường độ cao, sau đó là làm mát nhanh. Khả năng duy trì ổn định của Vòng lấy nét CVD SiC trong những điều kiện như vậy khiến nó không thể thiếu trong sản xuất chất bán dẫn hiện đại.
Độ bền cơ học và độ bền
Độ đàn hồi và độ cứng cao của Vòng lấy nét CVD SiC mang lại khả năng chống va đập, mài mòn và ăn mòn cơ học tuyệt vời. Những thuộc tính này đảm bảo rằng vòng lấy nét có thể chịu đựng được những yêu cầu khắt khe của quá trình chế tạo chất bán dẫn, duy trì tính toàn vẹn về cấu trúc và hiệu suất theo thời gian.
Ứng dụng trên nhiều ngành công nghiệp khác nhau
1. Sản xuất chất bán dẫn
Trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn, Vòng lấy nét CVD SiC là thành phần thiết yếu của thiết bị khắc plasma, đặc biệt là những thiết bị sử dụng hệ thống plasma ghép điện dung (CCP). Năng lượng plasma cao cần có trong các hệ thống này làm cho khả năng kháng plasma và độ bền của Vòng lấy nét CVD SiC trở nên vô giá. Ngoài ra, đặc tính nhiệt tuyệt vời của nó khiến nó rất phù hợp cho các ứng dụng RTP, nơi phổ biến các chu kỳ làm nóng và làm mát nhanh.
2. Các nhà cung cấp wafer LED
Vòng lấy nét CVD SiC cũng có hiệu quả cao trong việc sản xuất các tấm bán dẫn LED. Độ ổn định nhiệt và khả năng chống ăn mòn hóa học của vật liệu đảm bảo rằng vòng lấy nét có thể chịu được các điều kiện khắc nghiệt trong quá trình chế tạo đèn LED. Độ tin cậy này mang lại năng suất cao hơn và tấm LED chất lượng tốt hơn.
3. Mục tiêu phún xạ
Trong các ứng dụng phún xạ, độ cứng và khả năng chống mài mòn cao của CVD SiC Focus Ring khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các mục tiêu phún xạ. Khả năng duy trì tính toàn vẹn cấu trúc của vòng lấy nét dưới tác động năng lượng cao đảm bảo hiệu suất phún xạ ổn định và đáng tin cậy, điều này rất quan trọng trong sản xuất màng mỏng và lớp phủ.