Phòng phản ứng nửa vầng trăng LPE

Quá trình epiticular xảy ra trong Phòng phản ứng Halfmoon LPE, nơi các chất nền tiếp xúc với các điều kiện khắc nghiệt liên quan đến nhiệt độ cao và khí ăn mòn. Để đảm bảo tuổi thọ và hiệu suất của các bộ phận trong buồng phản ứng, lớp phủ SiC lắng đọng hơi hóa học (CVD) được áp dụng:

Ứng dụng chi tiết:

Chất nhạy cảm và chất mang wafer:

Vai trò chính:

Các chất nhạy cảm và chất mang bán dẫn là những thành phần quan trọng giúp giữ các chất nền một cách an toàn trong quá trình tăng trưởng epiticular trong Phòng phản ứng Halfmoon LPE. Chúng đóng vai trò then chốt trong việc đảm bảo rằng các chất nền được làm nóng đồng đều và tiếp xúc với các khí phản ứng.

Lợi ích của lớp phủ CVD SiC:

Độ dẫn nhiệt:

Lớp phủ SiC tăng cường độ dẫn nhiệt của chất cảm ứng, đảm bảo nhiệt được phân bổ đều trên bề mặt tấm bán dẫn. Tính đồng nhất này là cần thiết để đạt được sự tăng trưởng epiticular nhất quán.

Chống ăn mòn:

Lớp phủ SiC bảo vệ chất cảm ứng khỏi các khí ăn mòn như hydro và hợp chất clo hóa, được sử dụng trong quy trình CVD. Sự bảo vệ này giúp kéo dài tuổi thọ của thiết bị nhạy cảm và duy trì tính toàn vẹn của quy trình epiticular trong Buồng phản ứng Halfmoon LPE.

Tường buồng phản ứng:

Vai trò chính:

Các bức tường của buồng phản ứng chứa môi trường phản ứng và tiếp xúc với nhiệt độ cao cũng như khí ăn mòn trong quá trình tăng trưởng epiticular trong Buồng phản ứng Halfmoon LPE.

Lợi ích của lớp phủ CVD SiC:

Độ bền:

Lớp phủ SiC của Buồng phản ứng bán nguyệt LPE tăng cường đáng kể độ bền của thành buồng, bảo vệ chúng khỏi bị ăn mòn và mài mòn vật lý. Độ bền này làm giảm tần suất bảo trì và thay thế, do đó giảm chi phí vận hành.

Ngăn ngừa ô nhiễm:

Bằng cách duy trì tính toàn vẹn của thành buồng, lớp phủ SiC giảm thiểu nguy cơ ô nhiễm từ các vật liệu xuống cấp, đảm bảo môi trường xử lý sạch sẽ.

Lợi ích chính:

Năng suất được cải thiện:

Bằng cách duy trì tính toàn vẹn về cấu trúc của các tấm bán dẫn, Phòng phản ứng Halfmoon LPE hỗ trợ tỷ lệ năng suất cao hơn, giúp quá trình chế tạo chất bán dẫn hiệu quả hơn và tiết kiệm chi phí hơn.

Độ bền kết cấu:

Lớp phủ SiC của Phòng phản ứng Halfmoon LPE tăng cường đáng kể độ bền cơ học của chất nền than chì, làm cho các chất mang bán dẫn trở nên chắc chắn hơn và có khả năng chịu được các ứng suất cơ học của chu trình nhiệt lặp đi lặp lại.

Tuổi thọ:

Độ bền cơ học tăng lên góp phần kéo dài tuổi thọ tổng thể của Buồng phản ứng bán nguyệt LPE, giảm nhu cầu thay thế thường xuyên và giảm hơn nữa chi phí vận hành.

Cải thiện chất lượng bề mặt:

Lớp phủ SiC mang lại bề mặt mịn hơn so với than chì trần. Lớp hoàn thiện mịn màng này giúp giảm thiểu việc tạo ra các hạt, điều này rất quan trọng để duy trì môi trường xử lý sạch sẽ.

Giảm ô nhiễm:

Bề mặt mịn hơn giúp giảm nguy cơ ô nhiễm trên tấm bán dẫn, đảm bảo độ tinh khiết của các lớp bán dẫn và cải thiện chất lượng tổng thể của thiết bị cuối cùng.

Môi trường xử lý sạch:

Buồng phản ứng Halfmoon Semicorex LPE tạo ra ít hạt hơn đáng kể so với than chì không tráng phủ, điều này rất cần thiết để duy trì môi trường không nhiễm bẩn trong sản xuất chất bán dẫn.

Tỷ lệ lợi nhuận cao hơn:

Sự ô nhiễm hạt giảm dẫn đến ít khuyết tật hơn và tỷ lệ năng suất cao hơn, đây là những yếu tố quan trọng trong ngành bán dẫn có tính cạnh tranh cao.