Chất nhạy cảm than chì phủ CVD SiC

Chất nhạy cảm than chì được phủ CVD SiC là một thành phần được thiết kế tỉ mỉ để tạo ra môi trường nhiệt tối ưu cho sự lắng đọng có kiểm soát của các màng mỏng và lớp phủ lên các tấm bán dẫn hoặc các vật liệu nền khác. Nó là một yếu tố quan trọng trong lò phản ứng CVD, đóng vai trò vừa là nguồn nhiệt vừa là nền tảng để giữ và định vị các chất nền trong quá trình lắng đọng.

Thuận lợi:

Lắng đọng chính xác: Chất nhạy cảm than chì được phủ CVD SiC cho phép lắng đọng có kiểm soát và chính xác các màng mỏng và lớp phủ, mang lại kết quả có chất lượng cao và có thể tái tạo.

Giảm ô nhiễm: Lớp phủ SiC giảm thiểu nguy cơ ô nhiễm từ chính chất nhạy cảm, đảm bảo độ tinh khiết của vật liệu lắng đọng.

Tuổi thọ và độ bền: Lớp phủ SiC tăng cường khả năng chống oxy hóa và phản ứng hóa học của chất nhạy cảm, góp phần kéo dài tuổi thọ và độ tin cậy của nó khi sử dụng kéo dài.