Tấm khắc silicon cacbua ICP

Tấm khắc silicon cacbua ICPcó khả năng cung cấp sự hỗ trợ ổn định và định vị chính xác cho các tấm bán dẫn trong quá trình khắc, ngăn chặn hiệu quả việc giảm độ chính xác khắc do rung động hoặc dịch chuyển gây ra.

Tấm khắc silicon cacbua ICP có khả năng quản lý nhiệt. Độ dẫn nhiệt vượt trội củagốm SICmang lại cho Tấm khắc Silicon Carbide ICP khả năng tản nhiệt nhanh chóng, giúp ngăn ngừa hiện tượng quá nhiệt cục bộ của phôi và đảm bảo tính đồng nhất của nhiệt độ ăn mòn, từ đó cải thiện chất lượng ăn mòn. Gốm SiC có hệ số giãn nở nhiệt thấp, cho phép Tấm khắc silicon cacbua ICP duy trì độ ổn định kích thước tốt và giảm sự dịch chuyển hoặc biến dạng của phôi do giãn nở nhiệt.

Dựa vào đặc tính độ cứng và độ bền tuyệt vời của nó, Tấm khắc silicon cacbua ICP cho thấy khả năng chịu được ứng suất cơ học và tác động của plasma gặp phải trong quá trình ăn mòn với mức độ biến dạng hoặc hư hỏng tối thiểu. Khả năng này cải thiện hiệu quả năng suất và hiệu quả sản xuất của các thiết bị bán dẫn.

Môi trường vận hành ICP yêu cầu độ sạch ở mức độ bán dẫn. Tấm khắc ICP Silicon Carbide của Semicorex hoàn toàn có thể đáp ứng yêu cầu này, mang lại khả năng chống chịu đặc biệt đối với các loại khí hóa học (như clo và flo) và plasma của môi trường khắc ICP. Tính năng quan trọng này giữ cho môi trường quy trình luôn sạch sẽ bằng cách giảm lượng chất gây ô nhiễm thải ra trong quá trình ăn mòn.

Semicorex ưu tiên sự thuận tiện cho người dùng, cung cấp các thiết kế tùy chỉnh của Tấm khắc ICP Silicon Carbide tích hợp liền mạch với các hệ thống khắc ICP hiện có và tương thích với nhiều cấu hình khác nhau. Điều này cho phép quá trình chuyển đổi diễn ra suôn sẻ, khiến nó trở thành giải pháp nâng cấp lý tưởng cho các nhà sản xuất thiết bị.