Khay khắc plasma ICP của Semicorex được thiết kế dành riêng cho các quy trình xử lý tấm wafer ở nhiệt độ cao như epitaxy và MOCVD. Với khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, ổn định lên đến 1600°C, các chất mang của chúng tôi cung cấp các cấu hình nhiệt đồng đều, mô hình dòng khí thành lớp và ngăn ngừa nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất.
Khay khắc plasma ICP của chúng tôi được phủ cacbua silic bằng phương pháp CVD, đây là giải pháp lý tưởng cho các quy trình xử lý wafer yêu cầu làm sạch bằng hóa chất ở nhiệt độ cao và khắc nghiệt. Chất mang của Semicorex có lớp phủ tinh thể SiC mịn cung cấp các cấu hình nhiệt đồng đều, mô hình dòng khí thành lớp và ngăn ngừa nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất.
Tại Semicorex, chúng tôi tập trung vào việc cung cấp các sản phẩm chất lượng cao, tiết kiệm chi phí cho khách hàng. Khay khắc plasma ICP của chúng tôi có lợi thế về giá và được xuất khẩu sang nhiều thị trường Châu Âu và Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn, cung cấp các sản phẩm chất lượng nhất quán và dịch vụ khách hàng đặc biệt.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Khay khắc plasma ICP của chúng tôi.
Các thông số của khay khắc plasma ICP
Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC |
||
Thuộc tính SiC-CVD |
||
Cấu trúc tinh thể |
Giai đoạn FCC β |
|
Tỉ trọng |
g/cm ³ |
3.21 |
độ cứng |
độ cứng Vickers |
2500 |
Kích thước hạt |
μm |
2~10 |
độ tinh khiết hóa học |
% |
99.99995 |
Nhiệt dung |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Nhiệt độ thăng hoa |
℃ |
2700 |
Sức mạnh của Felexural |
MPa (RT 4 điểm) |
415 |
Mô đun Youngâs |
Gpa (uốn cong 4pt, 1300â) |
430 |
Giãn nở nhiệt (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Dẫn nhiệt |
(W/mK) |
300 |
Các tính năng của khay khắc plasma ICP
- Tránh bong tróc và đảm bảo độ phủ trên mọi bề mặt
Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao: Ổn định ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C
Độ tinh khiết cao: được thực hiện bằng cách lắng đọng hơi hóa học CVD trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.
Chống ăn mòn: độ cứng cao, bề mặt dày đặc và các hạt mịn.
Chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
- Đạt được mô hình dòng khí tốt nhất
- Đảm bảo độ đồng đều của biên dạng nhiệt
- Ngăn chặn bất kỳ ô nhiễm hoặc khuếch tán tạp chất