Khay khắc plasma ICP

Khay khắc plasma ICP của Semicorex được thiết kế đặc biệt cho các quy trình xử lý tấm bán dẫn ở nhiệt độ cao như epit Wax và MOCVD. Với khả năng chống oxy hóa ổn định ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C, các vật mang của chúng tôi cung cấp các cấu hình nhiệt đồng đều, mô hình dòng khí tầng và ngăn ngừa ô nhiễm hoặc khuếch tán tạp chất.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Khay khắc plasma ICP của chúng tôi được phủ silicon cacbua bằng phương pháp CVD, đây là giải pháp lý tưởng cho các quy trình xử lý tấm bán dẫn yêu cầu làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt và nhiệt độ cao. Giá đỡ của Semicorex có lớp phủ tinh thể SiC mịn cung cấp các biên dạng nhiệt đều, mô hình dòng khí tầng và ngăn ngừa ô nhiễm hoặc khuếch tán tạp chất.
Tại Semicorex, chúng tôi tập trung vào việc cung cấp các sản phẩm chất lượng cao, tiết kiệm chi phí cho khách hàng. Khay khắc plasma ICP của chúng tôi có lợi thế về giá và được xuất khẩu sang nhiều thị trường Châu Âu, Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn, cung cấp các sản phẩm chất lượng ổn định và dịch vụ khách hàng đặc biệt.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Khay khắc plasma ICP của chúng tôi.

Thông số của khay khắc plasma ICP

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC
Tỉ trọng	g/cm³	3.21
độ cứng	Độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	mm	2~10
Độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Công suất nhiệt	J kg-1 K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh cảm giác	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun của Young	Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Độ dẫn nhiệt	(W/mK)	300