Giới thiệu về thiết bị điện cacbua silic

Cacbua silic (SiC)thiết bị điện là thiết bị bán dẫn được làm bằng vật liệu cacbua silic, chủ yếu được sử dụng trong các ứng dụng điện tử tần số cao, nhiệt độ cao, điện áp cao và công suất cao. So với các thiết bị năng lượng dựa trên silicon (Si) truyền thống, các thiết bị năng lượng cacbua silic có độ rộng dải tần cao hơn, điện trường đánh thủng tới hạn cao hơn, độ dẫn nhiệt cao hơn và tốc độ trôi electron bão hòa cao hơn, khiến chúng có tiềm năng phát triển và giá trị ứng dụng lớn trong lĩnh vực này của điện tử công suất.

Ưu điểm của thiết bị nguồn SiC

1. Bandgap cao: Bandgap của SiC khoảng 3,26eV, gấp ba lần so với silicon, giúp các thiết bị SiC hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao hơn và không dễ bị ảnh hưởng bởi môi trường nhiệt độ cao.

2. Điện trường đánh thủng cao: Cường độ điện trường đánh thủng của SiC gấp 10 lần so với silicon, điều đó có nghĩa là các thiết bị SiC có thể chịu được điện áp cao hơn mà không bị đánh thủng, khiến chúng rất phù hợp cho các ứng dụng điện áp cao.

3. Độ dẫn nhiệt cao: Độ dẫn nhiệt của SiC cao gấp 3 lần so với silicon, giúp tản nhiệt hiệu quả hơn, từ đó nâng cao độ tin cậy và tuổi thọ của các thiết bị điện.

4. Tốc độ trôi điện tử cao: Tốc độ trôi bão hòa điện tử của SiC gấp đôi so với silicon, giúp thiết bị SiC hoạt động tốt hơn trong các ứng dụng tần số cao.

Phân loại thiết bị điện cacbua silic

Theo các cấu trúc và ứng dụng khác nhau, các thiết bị năng lượng cacbua silic có thể được chia thành các loại sau:

1. Điốt SiC: chủ yếu bao gồm điốt Schottky (SBD) và điốt PIN. Điốt SiC Schottky có đặc tính giảm điện áp chuyển tiếp thấp và phục hồi nhanh, thích hợp cho các ứng dụng chuyển đổi năng lượng tần số cao và hiệu suất cao.

2. SiC MOSFET: Đây là thiết bị điện được điều khiển bằng điện áp với điện trở thấp và đặc tính chuyển mạch nhanh. Nó được sử dụng rộng rãi trong bộ biến tần, xe điện, nguồn điện chuyển mạch và các lĩnh vực khác.

3. SiC JFET: Nó có đặc tính chịu được điện áp cao và tốc độ chuyển mạch cao, thích hợp cho các ứng dụng chuyển đổi nguồn điện áp cao và tần số cao.

4. SiC IGBT: Nó kết hợp trở kháng đầu vào cao của MOSFET và đặc tính điện trở thấp của BJT, thích hợp cho chuyển đổi nguồn điện áp trung bình và cao áp và điều khiển động cơ.

Ứng dụng của thiết bị điện cacbua silic

1. Xe điện (EV): Trong hệ thống truyền động của xe điện, thiết bị SiC có thể cải thiện đáng kể hiệu suất của bộ điều khiển động cơ và bộ biến tần, giảm tổn thất điện năng và tăng phạm vi lái xe.

2. Năng lượng tái tạo: Trong các hệ thống phát điện mặt trời và điện gió, thiết bị điện SiC được sử dụng trong các bộ biến tần để nâng cao hiệu suất chuyển đổi năng lượng và giảm chi phí hệ thống.

3. Cung cấp điện công nghiệp: Trong các hệ thống cấp điện công nghiệp, thiết bị SiC có thể cải thiện mật độ và hiệu suất nguồn, giảm khối lượng và trọng lượng cũng như cải thiện hiệu suất hệ thống.

4. Lưới điện, truyền tải và phân phối điện: Trong truyền tải dòng điện một chiều điện áp cao (HVDC) và lưới điện thông minh, các thiết bị nguồn SiC có thể cải thiện hiệu suất chuyển đổi, giảm tổn thất năng lượng, đồng thời cải thiện độ tin cậy và ổn định của truyền tải điện.

5. Hàng không vũ trụ: Trong lĩnh vực hàng không vũ trụ, các thiết bị SiC có thể hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ cao và bức xạ cao, phù hợp cho các ứng dụng quan trọng như vệ tinh và quản lý năng lượng.

Semicorex cung cấp chất lượng caoTấm silicon cacbua. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com