Tấm phân phối khí SiC

Trong các quy trình epit Wax bán dẫn, tính đồng nhất của dòng khí là một trong những yếu tố quan trọng nhất ảnh hưởng đến chất lượng màng, độ đồng nhất độ dày và năng suất wafer. Tấm phân phối khí SiC, thường được gọi là tấm vòi hoa sen, được thiết kế đặc biệt để phân phối khí xử lý đồng đều trên bề mặt wafer trong khi vẫn duy trì sự ổn định trong các điều kiện xử lý khắc nghiệt.

Tấm phân phối khí Semicorex SiC được thiết kế cho lò phản ứng epit Wax silicon nhiệt độ cao hoạt động trên 1400°C. Được sản xuất bằng chất nền than chì đẳng hướng có độ tinh khiết cao và được bảo vệ bởi lớp dày đặcLớp phủ silicon cacbua lắng đọng hơi hóa học (CVD), các thành phần này mang lại khả năng chống ăn mòn đặc biệt, kiểm soát ô nhiễm và độ tin cậy lâu dài trong môi trường bán dẫn đòi hỏi khắt khe.

Công nghệ phủ CVD SiC

Ưu điểm cốt lõi của Tấm phân phối khí SiC nằm ở công nghệ phủ tiên tiến.

Một lớp cacbua silic có độ tinh khiết cao được lắng đọng trên bề mặt than chì đẳng hướng bằng quy trình lắng đọng hơi hóa học (CVD). Lớp phủ này tạo thành một hàng rào bảo vệ dày đặc và có tính đồng nhất cao giúp cải thiện đáng kể hiệu suất của các bộ phận trong các điều kiện xử lý khắc nghiệt.

Đặc điểm lớp phủ điển hình bao gồm:

Độ dày lớp phủ: khoảng 100 μm

Phạm vi độ dày có thể điều chỉnh: 40–200 μm

Mật độ phủ cao

Độ đồng đều độ dày tuyệt vời

Độ bám dính mạnh với chất nền than chì

Bề mặt có độ tinh khiết cực cao

Lớp CVD SiC cách ly hiệu quả vật liệu nền than chì khỏi khí xử lý phản ứng, cải thiện đáng kể khả năng chống ăn mòn và tuổi thọ hoạt động.

Bảo vệ chất nền than chì

Than chì được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị epitaxy vì tính chất nhiệt tuyệt vời và khả năng chịu được nhiệt độ khắc nghiệt. Tuy nhiên, than chì không được bảo vệ dễ bị xói mòn và tấn công hóa học khi tiếp xúc lâu dài với khí xử lý.

Khi than chì phân hủy, nó có thể tạo ra các hạt làm ô nhiễm các tấm bán dẫn và ảnh hưởng tiêu cực đến hiệu suất của thiết bị.

Lớp phủ CVD SiC phục vụ nhiều chức năng bảo vệ:

Ngăn chặn sự tiếp xúc trực tiếp của than chì với khí phản ứng

Giảm sự hình thành hạt

Cải thiện khả năng chống ăn mòn hóa học

Kéo dài tuổi thọ sử dụng linh kiện

Duy trì độ sạch của buồng

Việc bảo vệ này ngày càng trở nên quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn tiên tiến, nơi mà ngay cả sự nhiễm bẩn cực nhỏ cũng có thể ảnh hưởng đến chất lượng sản phẩm.

Sản xuất và tùy chỉnh chính xác

Semicorex sản xuất Tấm phân phối khí SiC với sự kiểm soát chặt chẽ về dung sai kích thước, độ đồng nhất của lớp phủ và hình dạng lỗ.

Các tùy chọn tùy chỉnh bao gồm:

Bệ lò phản ứng 8 inch

Bệ lò phản ứng 12 inch

Đường kính tùy chỉnh

Mẫu lỗ tùy chỉnh

Thiết kế phân phối khí dành riêng cho ứng dụng

Yêu cầu độ dày lớp phủ thay đổi

Tính năng lắp đặt chuyên dụng

Tính linh hoạt này cho phép tối ưu hóa các kiến ​​trúc lò phản ứng và điều kiện quy trình khác nhau.

Ứng dụng

Tấm phân phối khí SiC được sử dụng rộng rãi trong:

• Hệ thống epitaxy silicon
• Lò phản ứng CVD bán dẫn
• Thiết bị lắng đọng nhiệt độ cao
• Hệ thống xử lý wafer tiên tiến
• Sản xuất chất bán dẫn điện
• Sản xuất chất bán dẫn phức hợp

Khả năng kết hợp kiểm soát dòng khí với khả năng chống ô nhiễm khiến chúng trở thành thành phần quan trọng trong chế tạo chất bán dẫn hiện đại.