Phần cacbua tantali

Semicorex Tantalum Carbide Part là thành phần than chì chuyên dụng với lớp phủ TaC chắc chắn, được thiết kế đặc biệt để sử dụng hiệu suất cao trong các ứng dụng tăng trưởng tinh thể cacbua silic (SiC). Bộ phận này được thiết kế để đáp ứng nhu cầu khắt khe của môi trường nhiệt độ cao liên quan đến sản xuất tinh thể SiC, mang đến sự kết hợp giữa độ bền, độ ổn định hóa học và khả năng chịu nhiệt nâng cao.

Trong quy trình sản xuất cacbua silic (SiC), Phần cacbua Tantalum đóng vai trò quan trọng trong các giai đoạn phát triển tinh thể, trong đó việc kiểm soát nhiệt độ ổn định và môi trường có độ tinh khiết cao là điều cần thiết. Sự phát triển của tinh thể SiC đòi hỏi các vật liệu có thể chịu được nhiệt độ khắc nghiệt và môi trường ăn mòn mà không ảnh hưởng đến tính toàn vẹn cấu trúc hoặc làm ô nhiễm tinh thể đang phát triển. Các thành phần than chì được phủ TaC rất phù hợp cho nhiệm vụ này nhờ các đặc tính độc đáo của chúng, cho phép kiểm soát chính xác động lực nhiệt và góp phần mang lại chất lượng tinh thể SiC tối ưu.

Ưu điểm của lớp phủ cacbua Tantalum:

Chịu nhiệt độ cao:Tantalum cacbua có điểm nóng chảy trên 3800°C, khiến nó trở thành một trong những loại sơn chịu nhiệt độ cao nhất hiện có. Khả năng chịu nhiệt cao này là vô giá trong các quá trình tăng trưởng SiC, trong đó nhiệt độ ổn định là rất cần thiết.

Độ ổn định hóa học:TaC thể hiện khả năng chống lại các hóa chất phản ứng mạnh mẽ ở nhiệt độ cao, giảm khả năng tương tác với vật liệu cacbua silic và ngăn ngừa các tạp chất không mong muốn.

Tăng cường độ bền và tuổi thọ:Lớp phủ TaC kéo dài đáng kể tuổi thọ của linh kiện bằng cách cung cấp một lớp bảo vệ cứng trên nền than chì. Điều này kéo dài tuổi thọ hoạt động, giảm thiểu tần suất bảo trì và giảm thời gian ngừng hoạt động, cuối cùng là tối ưu hóa hiệu quả sản xuất.

Chống sốc nhiệt:Tantalum cacbua duy trì tính ổn định ngay cả khi nhiệt độ thay đổi nhanh, điều này rất quan trọng trong các giai đoạn phát triển tinh thể SiC, nơi thường có sự dao động nhiệt độ được kiểm soát.

Tiềm năng ô nhiễm thấp:Duy trì độ tinh khiết của vật liệu là rất quan trọng trong sản xuất tinh thể để đảm bảo rằng các tinh thể SiC cuối cùng không có khuyết tật. Bản chất trơ của TaC ngăn chặn các phản ứng hóa học không mong muốn hoặc ô nhiễm, bảo vệ môi trường phát triển tinh thể.

Thông số kỹ thuật:

Vật liệu cơ bản:Than chì có độ tinh khiết cao, được gia công chính xác để đảm bảo độ chính xác về kích thước.

Vật liệu phủ:Tantalum cacbua (TaC) được áp dụng bằng kỹ thuật lắng đọng hơi hóa học (CVD) tiên tiến.

Phạm vi nhiệt độ hoạt động:Có khả năng chịu được nhiệt độ lên tới 3800°C.

Kích thước:Có thể tùy chỉnh để đáp ứng các yêu cầu cụ thể của lò.

độ tinh khiết:Độ tinh khiết cao để đảm bảo tương tác tối thiểu với vật liệu SiC trong quá trình tăng trưởng.

Bộ phận cacbua Semicorex Tantalum nổi bật nhờ khả năng phục hồi nhiệt và hóa học tuyệt vời, được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng tăng trưởng tinh thể SiC. Bằng cách kết hợp các thành phần được phủ TaC chất lượng cao, chúng tôi giúp khách hàng đạt được chất lượng tinh thể vượt trội, cải thiện hiệu quả sản xuất và giảm chi phí vận hành. Tin tưởng vào chuyên môn của Semicorex để cung cấp các giải pháp đầu ngành cho mọi nhu cầu sản xuất chất bán dẫn của bạn.