Chất nhạy cảm với than chì được phủ SiC là gì?

Để giới thiệu cácMáy thu than chì phủ SiC, điều quan trọng là phải hiểu ứng dụng của nó. Khi sản xuất thiết bị, cần phải chế tạo thêm các lớp epiticular trên một số chất nền wafer. Ví dụ, các thiết bị phát sáng LED yêu cầu chuẩn bị các lớp epiticular GaAs trên đế silicon; trong khi cần phát triển lớp SiC trên đế SiC thì lớp epiticular giúp chế tạo các thiết bị cho các ứng dụng năng lượng như điện áp cao và dòng điện cao, ví dụ như SBD, MOSFET, v.v. Ngược lại, lớp epiticular GaN được chế tạo trên SiC bán cách điện chất nền để chế tạo thêm các thiết bị như HEMT cho các ứng dụng tần số vô tuyến như thông tin liên lạc. Để làm điều này, mộtthiết bị CVD(trong số các phương pháp kỹ thuật khác) là bắt buộc. Thiết bị này có thể lắng đọng các thành phần nhóm III và II và các thành phần nhóm V và VI làm nguyên liệu nguồn phát triển trên bề mặt chất nền.

TRONGthiết bị CVD, chất nền không thể được đặt trực tiếp lên kim loại hoặc chỉ đơn giản là đặt trên một đế để lắng đọng epiticular. Điều này là do hướng dòng khí (ngang, dọc), nhiệt độ, áp suất, sự cố định, loại bỏ chất gây ô nhiễm, v.v. đều là những yếu tố có thể ảnh hưởng đến quá trình. Do đó, cần có một thiết bị có tính nhạy khi chất nền được đặt trên đĩa, sau đó công nghệ CVD được sử dụng để thực hiện lắng đọng epiticular trên chất nền. Chất nhạy cảm này là chất nhạy cảm than chì được phủ SiC (còn được gọi là khay).

Cácmáy thu than chìlà một thành phần quan trọng trongthiết bị MOCVD. Nó hoạt động như chất mang và bộ phận làm nóng của chất nền. Độ ổn định nhiệt, tính đồng nhất và các thông số hiệu suất khác của nó là những yếu tố quan trọng quyết định chất lượng tăng trưởng của vật liệu epiticular và ảnh hưởng trực tiếp đến tính đồng nhất và độ tinh khiết của vật liệu màng mỏng. Vì vậy, chất lượng củamáy thu than chìlà rất quan trọng trong việc chuẩn bị các tấm wafer epiticular. Tuy nhiên, do tính chất tiêu hao của thiết bị cảm ứng và điều kiện làm việc thay đổi nên nó dễ bị mất.

Than chì có độ dẫn nhiệt và độ ổn định tuyệt vời, khiến nó trở thành thành phần cơ bản lý tưởng chothiết bị MOCVD. Tuy nhiên, than chì nguyên chất phải đối mặt với một số thách thức. Trong quá trình sản xuất, khí ăn mòn còn sót lại và chất hữu cơ kim loại có thể khiến chất nhạy cảm bị ăn mòn và biến mất thành bột, do đó làm giảm đáng kể tuổi thọ sử dụng của nó. Ngoài ra, bột than chì rơi xuống có thể gây ô nhiễm cho chip. Vì vậy, những vấn đề này cần được giải quyết trong quá trình chuẩn bị nền móng.

Công nghệ sơn phủ là một quá trình có thể được sử dụng để cố định bột trên bề mặt, tăng cường tính dẫn nhiệt và phân bổ nhiệt đều. Công nghệ này đã trở thành cách chính để giải quyết vấn đề này. Tùy thuộc vào môi trường ứng dụng và yêu cầu sử dụng của nền than chì, lớp phủ bề mặt phải có các đặc điểm sau:

1. Mật độ cao và bao bọc đầy đủ: Đế than chì ở trong môi trường làm việc có nhiệt độ cao, ăn mòn và bề mặt phải được bao phủ hoàn toàn. Lớp phủ cũng phải có mật độ tốt để bảo vệ tốt.

2. Độ phẳng bề mặt tốt: Vì nền than chì được sử dụng để tăng trưởng đơn tinh thể đòi hỏi độ phẳng bề mặt cao nên độ phẳng ban đầu của đế phải được duy trì sau khi chuẩn bị lớp phủ. Điều này có nghĩa là bề mặt lớp phủ phải đồng đều.

3. Độ bền liên kết tốt: Giảm sự chênh lệch về hệ số giãn nở nhiệt giữa nền than chì và vật liệu phủ có thể cải thiện hiệu quả độ bền liên kết giữa hai vật liệu. Sau khi trải qua các chu kỳ nhiệt độ cao và nhiệt độ thấp, lớp phủ không dễ bị nứt.

4. Độ dẫn nhiệt cao: Sự phát triển chip chất lượng cao đòi hỏi nhiệt lượng nhanh và đồng đều từ nền than chì. Vì vậy, vật liệu phủ phải có độ dẫn nhiệt cao.

5. Điểm nóng chảy cao, khả năng chống oxy hóa và chống ăn mòn ở nhiệt độ cao: Lớp phủ phải có khả năng hoạt động ổn định trong môi trường làm việc ở nhiệt độ cao và ăn mòn.

Hiện tại,Cacbua silic (SiC)là vật liệu được ưa thích để phủ than chì, nhờ hiệu suất vượt trội của nó trong môi trường khí ăn mòn và nhiệt độ cao. Hơn nữa, hệ số giãn nở nhiệt gần của nó với than chì cho phép chúng hình thành liên kết bền chặt. Ngoài ra,Lớp phủ Tantalum Carbide(TaC)cũng là một lựa chọn tốt và nó có thể hoạt động ở môi trường có nhiệt độ cao hơn (> 2000oC).

Semicorex cung cấp chất lượng caoSiCVàChất nhạy cảm bằng than chì được phủ TaC. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com