Công nghệ xử lý SiC lắng đọng hơi hóa học (CVD) rất cần thiết để sản xuất thiết bị điện tử công suất hiệu suất cao, cho phép tăng trưởng epiticular chính xác của các lớp cacbua silic có độ tinh khiết cao trên các tấm nền. Bằng cách tận dụng dải tần rộng và độ dẫn nhiệt vượt trội của SiC, công nghệ n......
Đọc thêmTrong quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD), các loại khí được sử dụng chủ yếu bao gồm khí phản ứng và khí mang. Khí phản ứng cung cấp các nguyên tử hoặc phân tử cho vật liệu lắng đọng, trong khi khí mang được sử dụng để pha loãng và kiểm soát môi trường phản ứng. Dưới đây là một số loại khí CVD thư......
Đọc thêmCác kịch bản ứng dụng khác nhau có các yêu cầu về hiệu suất khác nhau đối với các sản phẩm than chì, khiến việc lựa chọn vật liệu chính xác trở thành bước cốt lõi trong ứng dụng các sản phẩm than chì. Việc chọn các thành phần than chì có hiệu suất phù hợp với các tình huống ứng dụng không chỉ có thể......
Đọc thêmTrước khi thảo luận về công nghệ xử lý cacbua silic (Sic) lắng đọng hơi hóa học (CVD), trước tiên chúng ta hãy xem lại một số kiến thức cơ bản về "lắng đọng hơi hóa học". Lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một kỹ thuật thường được sử dụng để chuẩn bị các lớp phủ khác nhau. Nó liên quan đến việc lắn......
Đọc thêmTrường nhiệt tăng trưởng đơn tinh thể là sự phân bố nhiệt độ theo không gian trong lò nhiệt độ cao trong quá trình tăng trưởng đơn tinh thể, ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng, tốc độ tăng trưởng và tốc độ hình thành tinh thể của đơn tinh thể. Trường nhiệt có thể được chia thành loại trạng thái ổn đ......
Đọc thêm