Tấm giữ vệ tinh MOCVD

Tấm giữ vệ tinh MOCVD

Tấm giữ vệ tinh Semicorex MOCVD là một chất mang nổi bật được thiết kế để sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn. Độ tinh khiết cao, khả năng chống ăn mòn tuyệt vời và thậm chí cả cấu hình nhiệt khiến nó trở thành lựa chọn tuyệt vời cho những ai đang tìm kiếm chất mang có thể chịu được các yêu cầu của quy trình sản xuất chất bán dẫn. Chúng tôi cam kết cung cấp cho khách hàng những sản phẩm chất lượng cao đáp ứng các yêu cầu cụ thể của họ. Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Tấm giữ vệ tinh MOCVD của chúng tôi và cách chúng tôi có thể giúp bạn đáp ứng nhu cầu sản xuất chất bán dẫn của bạn.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Tấm giữ vệ tinh Semicorex MOCVD là một chất mang chất lượng cao được thiết kế để sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn. Sản phẩm của chúng tôi được phủ một lớp cacbua silic có độ tinh khiết cao trên than chì, làm cho nó có khả năng chống oxy hóa cao ở nhiệt độ cao lên đến 1600°C. Quá trình lắng đọng hơi hóa học CVD được sử dụng trong quá trình sản xuất đảm bảo độ tinh khiết cao và khả năng chống ăn mòn tuyệt vời, khiến nó trở nên lý tưởng để sử dụng trong môi trường phòng sạch.
Các tính năng của Tấm giữ vệ tinh MOCVD của chúng tôi rất ấn tượng. Bề mặt dày đặc và các hạt mịn của nó tăng cường khả năng chống ăn mòn, giúp nó chống lại axit, kiềm, muối và các chất phản ứng hữu cơ. Chất mang này có độ ổn định cao, ngay cả trong môi trường khắc nghiệt, khiến nó trở thành lựa chọn tuyệt vời cho những ai đang tìm kiếm chất mang có thể chịu được các yêu cầu của ngành công nghiệp bán dẫn.


Các thông số của Tấm giữ vệ tinh MOCVD

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC

Thuộc tính SiC-CVD

Cấu trúc tinh thể

Giai đoạn FCC β

Tỉ trọng

g/cm ³

3.21

độ cứng

độ cứng Vickers

2500

Kích thước hạt

μm

2~10

độ tinh khiết hóa học

%

99.99995

Nhiệt dung

J·kg-1 ·K-1

640

Nhiệt độ thăng hoa

2700

Sức mạnh của Felexural

MPa (RT 4 điểm)

415

Mô đun Youngâs

Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)

430

Giãn nở nhiệt (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Dẫn nhiệt

(W/mK)

300


Các tính năng của SiC Coated Graphite Susceptor cho MOCVD

- Tránh bong tróc và đảm bảo sơn phủ trên mọi bề mặt
Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao: Ổn định ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C
Độ tinh khiết cao: được thực hiện bằng cách lắng đọng hơi hóa học CVD trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.
Chống ăn mòn: độ cứng cao, bề mặt dày đặc và các hạt mịn.
Chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
- Đạt được mô hình dòng khí tốt nhất
- Đảm bảo độ đồng đều của biên dạng nhiệt
- Ngăn chặn bất kỳ ô nhiễm hoặc khuếch tán tạp chất




Thẻ nóng: Tấm giữ vệ tinh MOCVD, Trung Quốc, Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy, Tùy chỉnh, Số lượng lớn, Nâng cao, Bền

Danh mục liên quan

Gửi yêu cầu

Xin vui lòng gửi yêu cầu của bạn trong mẫu dưới đây. Chúng tôi sẽ trả lời bạn trong 24 giờ.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept