Tấm khắc SiC ICP

Tấm khắc Semicorex SiC ICP đáp ứng nhu cầu của ngành bằng cách cung cấp tính dẫn nhiệt vượt trội, độ cứng vượt trội và độ ổn định hóa học vượt trội, khiến nó trở thành lựa chọn ưu tiên cho sản xuất chất bán dẫn tiên tiến.

Silicon Carbide nổi tiếng với tính dẫn nhiệt vượt trội, một thuộc tính quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn. Đặc tính này cho phép Tấm khắc SiC ICP tản nhiệt hiệu quả tạo ra trong quá trình ăn mòn, duy trì nhiệt độ vận hành tối ưu. Bằng cách quản lý nhiệt hiệu quả, Tấm khắc SiC ICP giảm thiểu nguy cơ quá nhiệt, đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy ổn định, ngay cả trong các ứng dụng năng lượng cao. Việc quản lý nhiệt này là cần thiết để duy trì tính toàn vẹn của quá trình ăn mòn và đạt được kết quả chất lượng cao.

Một tính năng nổi bật khác của Tấm khắc SiC ICP là độ cứng và khả năng chống mài mòn vượt trội. Là một trong những vật liệu cứng nhất hiện có, Silicon Carbide thể hiện khả năng chống mài mòn và mài mòn cơ học đặc biệt. Đặc tính này đặc biệt có giá trị trong môi trường khắc plasma, nơi tấm khắc tiếp xúc với các điều kiện vật lý và hóa học mạnh. Độ bền của Tấm khắc SiC ICP mang lại tuổi thọ dài hơn, giảm thời gian ngừng hoạt động và chi phí bảo trì thấp hơn, khiến nó trở thành giải pháp tiết kiệm chi phí cho sản xuất số lượng lớn.

Ngoài các đặc tính về nhiệt và cơ học, Tấm khắc SiC ICP còn mang lại độ ổn định hóa học tuyệt vời. Silicon Carbide có khả năng chống ăn mòn và tấn công hóa học cao, đảm bảo duy trì tính toàn vẹn cấu trúc và hiệu suất ngay cả trong môi trường hóa học khắc nghiệt. Khả năng chống phân hủy hóa học này rất quan trọng để duy trì độ chính xác và độ chính xác của quá trình ăn mòn, vì bất kỳ sự ảnh hưởng nào đến tính toàn vẹn của tấm ăn mòn đều có thể dẫn đến khiếm khuyết trong các thiết bị bán dẫn đang được sản xuất.