Lớp phủ SiC là một lớp mỏng trên chất nhạy cảm thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD). Vật liệu cacbua silic mang lại một số lợi thế so với silicon, bao gồm cường độ điện trường đánh thủng gấp 10 lần, khoảng cách dải gấp 3 lần, giúp vật liệu có khả năng chịu nhiệt độ và hóa chất cao, chống mài mòn cũng như tính dẫn nhiệt tuyệt vời.
Semicorex cung cấp dịch vụ tùy chỉnh, giúp bạn đổi mới với các thành phần có tuổi thọ cao hơn, giảm thời gian chu trình và cải thiện năng suất.
Lớp phủ SiC sở hữu một số ưu điểm độc đáo
Khả năng chịu nhiệt độ cao: Chất nhạy cảm được phủ CVD SiC có thể chịu được nhiệt độ cao lên tới 1600°C mà không bị suy giảm nhiệt đáng kể.
Kháng hóa chất: Lớp phủ silicon cacbua mang lại khả năng chống chịu tuyệt vời với nhiều loại hóa chất, bao gồm axit, kiềm và dung môi hữu cơ.
Chống mài mòn: Lớp phủ SiC mang lại cho vật liệu khả năng chống mài mòn tuyệt vời, khiến nó phù hợp cho các ứng dụng có độ mài mòn cao.
Độ dẫn nhiệt: Lớp phủ CVD SiC mang lại cho vật liệu khả năng dẫn nhiệt cao, khiến nó phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng nhiệt độ cao yêu cầu truyền nhiệt hiệu quả.
Độ bền và độ cứng cao: Chất nhạy cảm được phủ silicon cacbua mang lại cho vật liệu độ bền và độ cứng cao, khiến vật liệu phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi độ bền cơ học cao.
Lớp phủ SiC được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau
Sản xuất đèn LED: Chất nhạy được phủ CVD SiC được sử dụng trong sản xuất các loại đèn LED khác nhau, bao gồm đèn LED xanh dương và xanh lục, đèn LED UV và đèn LED UV sâu, do tính dẫn nhiệt và kháng hóa chất cao.
Truyền thông di động: Chất nhạy được phủ CVD SiC là một phần quan trọng của HEMT để hoàn thành quy trình epiticular GaN-on-SiC.
Xử lý chất bán dẫn: Chất nhạy được phủ CVD SiC được sử dụng trong ngành bán dẫn cho các ứng dụng khác nhau, bao gồm xử lý tấm bán dẫn và tăng trưởng epiticular.
Linh kiện than chì phủ SiC
Được chế tạo bằng than chì Silicon Carbide Coating (SiC), lớp phủ được áp dụng bằng phương pháp CVD cho các loại than chì mật độ cao cụ thể, do đó nó có thể hoạt động trong lò nhiệt độ cao với hơn 3000 ° C trong môi trường trơ, 2200 ° C trong chân không .
Các đặc tính đặc biệt và khối lượng thấp của vật liệu cho phép tốc độ gia nhiệt nhanh, phân bố nhiệt độ đồng đều và độ chính xác vượt trội trong kiểm soát.
Dữ liệu vật liệu của lớp phủ Semicorex SiC
Tính chất điển hình |
Đơn vị |
Giá trị |
Kết cấu |
|
Giai đoạn FCC |
Định hướng |
Phân số (%) |
111 ưu tiên |
Mật độ lớn |
g/cm³ |
3.21 |
độ cứng |
Độ cứng Vickers |
2500 |
Công suất nhiệt |
J kg-1 K-1 |
640 |
Giãn nở nhiệt 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Mô đun của Young |
Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) |
430 |
Kích thước hạt |
mm |
2~10 |
Nhiệt độ thăng hoa |
℃ |
2700 |
Sức mạnh cảm giác |
MPa (RT 4 điểm) |
415 |
Độ dẫn nhiệt |
(W/mK) |
300 |
Kết luận Chất cảm ứng được phủ CVD SiC là vật liệu tổng hợp kết hợp các đặc tính của chất cảm ứng và cacbua silic. Vật liệu này sở hữu các đặc tính độc đáo, bao gồm khả năng chịu nhiệt độ và hóa chất cao, chống mài mòn tuyệt vời, độ dẫn nhiệt cao, độ bền và độ cứng cao. Những đặc tính này làm cho nó trở thành vật liệu hấp dẫn cho nhiều ứng dụng nhiệt độ cao khác nhau, bao gồm xử lý chất bán dẫn, xử lý hóa học, xử lý nhiệt, sản xuất pin mặt trời và sản xuất đèn LED.
Semicorex GaN-on-Si Epi Wafer Chuck là một giá đỡ chất nền được chế tạo chính xác được thiết kế đặc biệt để xử lý và xử lý gallium nitride trên các tấm wafer silicon. Semicorex cam kết cung cấp các sản phẩm chất lượng với giá cả cạnh tranh, chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.
Đọc thêmGửi yêu cầuBộ cảm biến wafer Semicorex SiC dành cho MOCVD là một mẫu mực về độ chính xác và sự đổi mới, được chế tạo đặc biệt để tạo điều kiện thuận lợi cho việc lắng đọng epiticular của vật liệu bán dẫn lên các tấm bán dẫn. Đặc tính vật liệu vượt trội của các tấm cho phép chúng chịu được các điều kiện nghiêm ngặt của quá trình tăng trưởng epiticular, bao gồm nhiệt độ cao và môi trường ăn mòn, khiến chúng không thể thiếu trong sản xuất chất bán dẫn có độ chính xác cao. Tại Semicorex, chúng tôi chuyên sản xuất và cung cấp Bộ cảm biến wafer SiC hiệu suất cao cho MOCVD, kết hợp chất lượng với hiệu quả chi phí.
Đọc thêmGửi yêu cầuChất mang bán dẫn Semicorex với lớp phủ SiC, một phần không thể thiếu của hệ thống tăng trưởng epiticular, nổi bật bởi độ tinh khiết đặc biệt, khả năng chịu được nhiệt độ khắc nghiệt và đặc tính bịt kín chắc chắn, đóng vai trò như một khay cần thiết để hỗ trợ và gia nhiệt các tấm bán dẫn trong quá trình giai đoạn quan trọng của quá trình lắng đọng lớp epiticular, từ đó tối ưu hóa hiệu suất tổng thể của quy trình MOCVD. Tại Semicorex, chúng tôi chuyên sản xuất và cung cấp các vật mang wafer hiệu suất cao với lớp phủ SiC giúp kết hợp chất lượng với hiệu quả chi phí.
Đọc thêmGửi yêu cầuSemicorex GaN Epitaxy Carrier đóng vai trò then chốt trong sản xuất chất bán dẫn, tích hợp các vật liệu tiên tiến và kỹ thuật chính xác. Nổi bật nhờ lớp phủ CVD SiC, loại vật liệu mang này có độ bền vượt trội, hiệu suất nhiệt và khả năng bảo vệ, tự khẳng định mình là sản phẩm nổi bật trong ngành. Tại Semicorex, chúng tôi chuyên sản xuất và cung cấp GaN Epitaxy Carrier hiệu suất cao, kết hợp chất lượng với hiệu quả chi phí.
Đọc thêmGửi yêu cầuĐĩa wafer được phủ Semicorex SiC thể hiện sự tiến bộ hàng đầu trong công nghệ sản xuất chất bán dẫn, đóng vai trò thiết yếu trong quy trình chế tạo chất bán dẫn phức tạp. Được thiết kế với độ chính xác tỉ mỉ, chiếc đĩa này được chế tạo từ than chì phủ SiC cao cấp, mang lại hiệu suất và độ bền vượt trội cho các ứng dụng epit Wax silicon. Tại Semicorex, chúng tôi chuyên sản xuất và cung cấp Đĩa wafer phủ SiC hiệu suất cao, kết hợp chất lượng với hiệu quả chi phí.
Đọc thêmGửi yêu cầuKhay bán dẫn Semicorex SiC là một tài sản quan trọng trong quy trình lắng đọng hơi hóa chất hữu cơ kim loại (MOCVD), được thiết kế tỉ mỉ để hỗ trợ và làm nóng các tấm bán dẫn trong bước thiết yếu của quá trình lắng đọng lớp epiticular. Khay này không thể thiếu trong sản xuất thiết bị bán dẫn, trong đó độ chính xác của việc tăng trưởng lớp là vô cùng quan trọng. Tại Semicorex, chúng tôi chuyên sản xuất và cung cấp Khay wafer SiC hiệu suất cao, kết hợp chất lượng với hiệu quả chi phí.
Đọc thêmGửi yêu cầu