Lớp phủ SiC là một lớp mỏng trên chất nhạy cảm thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD). Vật liệu cacbua silic mang lại một số lợi thế so với silicon, bao gồm cường độ điện trường đánh thủng gấp 10 lần, khoảng cách dải gấp 3 lần, giúp vật liệu có khả năng chịu nhiệt độ và hóa chất cao, chống mài mòn cũng như tính dẫn nhiệt tuyệt vời.
Semicorex cung cấp dịch vụ tùy chỉnh, giúp bạn đổi mới với các thành phần có tuổi thọ cao hơn, giảm thời gian chu trình và cải thiện năng suất.
Lớp phủ SiC sở hữu một số ưu điểm độc đáo
Khả năng chịu nhiệt độ cao: Chất nhạy cảm được phủ CVD SiC có thể chịu được nhiệt độ cao lên tới 1600°C mà không bị suy giảm nhiệt đáng kể.
Kháng hóa chất: Lớp phủ silicon cacbua mang lại khả năng chống chịu tuyệt vời với nhiều loại hóa chất, bao gồm axit, kiềm và dung môi hữu cơ.
Chống mài mòn: Lớp phủ SiC mang lại cho vật liệu khả năng chống mài mòn tuyệt vời, khiến nó phù hợp cho các ứng dụng có độ mài mòn cao.
Độ dẫn nhiệt: Lớp phủ CVD SiC mang lại cho vật liệu khả năng dẫn nhiệt cao, khiến nó phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng nhiệt độ cao yêu cầu truyền nhiệt hiệu quả.
Độ bền và độ cứng cao: Chất nhạy cảm được phủ silicon cacbua mang lại cho vật liệu độ bền và độ cứng cao, khiến vật liệu phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi độ bền cơ học cao.
Lớp phủ SiC được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau
Sản xuất đèn LED: Chất nhạy được phủ CVD SiC được sử dụng trong sản xuất các loại đèn LED khác nhau, bao gồm đèn LED xanh dương và xanh lục, đèn LED UV và đèn LED UV sâu, do tính dẫn nhiệt và kháng hóa chất cao.
Truyền thông di động: Chất nhạy được phủ CVD SiC là một phần quan trọng của HEMT để hoàn thành quy trình epiticular GaN-on-SiC.
Xử lý chất bán dẫn: Chất nhạy được phủ CVD SiC được sử dụng trong ngành bán dẫn cho các ứng dụng khác nhau, bao gồm xử lý tấm bán dẫn và tăng trưởng epiticular.
Linh kiện than chì phủ SiC
Được chế tạo bằng than chì Silicon Carbide Coating (SiC), lớp phủ được áp dụng bằng phương pháp CVD cho các loại than chì mật độ cao cụ thể, do đó nó có thể hoạt động trong lò nhiệt độ cao với hơn 3000 ° C trong môi trường trơ, 2200 ° C trong chân không .
Các đặc tính đặc biệt và khối lượng thấp của vật liệu cho phép tốc độ gia nhiệt nhanh, phân bố nhiệt độ đồng đều và độ chính xác vượt trội trong kiểm soát.
Dữ liệu vật liệu của lớp phủ Semicorex SiC
Tính chất điển hình |
Đơn vị |
Giá trị |
Kết cấu |
|
Giai đoạn FCC |
Định hướng |
Phân số (%) |
111 ưu tiên |
Mật độ lớn |
g/cm³ |
3.21 |
độ cứng |
Độ cứng Vickers |
2500 |
Công suất nhiệt |
J kg-1 K-1 |
640 |
Giãn nở nhiệt 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Mô đun của Young |
Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) |
430 |
Kích thước hạt |
mm |
2~10 |
Nhiệt độ thăng hoa |
℃ |
2700 |
Sức mạnh cảm giác |
MPa (RT 4 điểm) |
415 |
Độ dẫn nhiệt |
(W/mK) |
300 |
Kết luận Chất cảm ứng được phủ CVD SiC là vật liệu tổng hợp kết hợp các đặc tính của chất cảm ứng và cacbua silic. Vật liệu này sở hữu các đặc tính độc đáo, bao gồm khả năng chịu nhiệt độ và hóa chất cao, chống mài mòn tuyệt vời, độ dẫn nhiệt cao, độ bền và độ cứng cao. Những đặc tính này làm cho nó trở thành vật liệu hấp dẫn cho nhiều ứng dụng nhiệt độ cao khác nhau, bao gồm xử lý chất bán dẫn, xử lý hóa học, xử lý nhiệt, sản xuất pin mặt trời và sản xuất đèn LED.
Semicorex Silicon Pedestal, một thành phần thường bị bỏ qua nhưng cực kỳ quan trọng, đóng một vai trò quan trọng trong việc đạt được kết quả chính xác và có thể lặp lại trong quá trình oxy hóa và khuếch tán chất bán dẫn. Nền tảng chuyên dụng, nơi đặt thuyền silicon trong lò nhiệt độ cao, mang lại những ưu điểm độc đáo góp phần trực tiếp nâng cao tính đồng nhất về nhiệt độ, cải thiện chất lượng tấm bán dẫn và cuối cùng là hiệu suất thiết bị bán dẫn vượt trội.**
Đọc thêmGửi yêu cầuThuyền ủ silicon Semicorex, được thiết kế tỉ mỉ để xử lý và xử lý các tấm silicon, đóng một vai trò quan trọng trong việc đạt được các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao. Các đặc tính thiết kế và đặc tính vật liệu độc đáo của nó khiến nó trở nên cần thiết cho các bước chế tạo quan trọng như khuếch tán và oxy hóa, đảm bảo xử lý đồng nhất, tối đa hóa năng suất và góp phần nâng cao chất lượng cũng như độ tin cậy tổng thể của các thiết bị bán dẫn.**
Đọc thêmGửi yêu cầuSemicorex MOCVD Epit Wax Susceptor đã nổi lên như một thành phần quan trọng trong epit Wax lắng đọng hơi hóa học hữu cơ-kim loại (MOCVD), cho phép chế tạo các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao với hiệu quả và độ chính xác vượt trội. Sự kết hợp độc đáo giữa các đặc tính vật liệu khiến nó hoàn toàn phù hợp với môi trường nhiệt và hóa học đòi hỏi khắt khe gặp phải trong quá trình tăng trưởng epiticular của chất bán dẫn hỗn hợp.**
Đọc thêmGửi yêu cầuSemicorex Horizontal SiC Wafer Boat đã nổi lên như một công cụ không thể thiếu trong sản xuất các thiết bị bán dẫn và quang điện hiệu suất cao. Những giá đỡ chuyên dụng này, được thiết kế tỉ mỉ từ cacbua silic (SiC) có độ tinh khiết cao, mang lại các đặc tính nhiệt, hóa học và cơ học đặc biệt cần thiết cho các quy trình đòi hỏi khắt khe liên quan đến chế tạo các linh kiện điện tử tiên tiến.**
Đọc thêmGửi yêu cầuSemicorex SiC Multi Pocket Susceptor đại diện cho một công nghệ quan trọng hỗ trợ sự phát triển epiticular của các tấm bán dẫn chất lượng cao. Được chế tạo thông qua quy trình lắng đọng hơi hóa học (CVD) phức tạp, những chất nhạy cảm này cung cấp một nền tảng mạnh mẽ và hiệu suất cao để đạt được độ đồng nhất đặc biệt của lớp epiticular và hiệu quả xử lý.**
Đọc thêmGửi yêu cầuSemicorex SiC Ceramic wafer Boat đã nổi lên như một công nghệ quan trọng, cung cấp nền tảng vững chắc cho quá trình xử lý ở nhiệt độ cao đồng thời bảo vệ tính toàn vẹn của wafer và đảm bảo độ tinh khiết cần thiết cho các thiết bị hiệu suất cao. Nó được thiết kế riêng cho ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện được xây dựng dựa trên độ chính xác. Mọi khía cạnh của quá trình xử lý wafer, từ lắng đọng đến khuếch tán, đều đòi hỏi sự kiểm soát tỉ mỉ và môi trường nguyên sơ. Tại Semicorex, chúng tôi chuyên sản xuất và cung cấp Thuyền wafer gốm SiC hiệu suất cao, kết hợp chất lượng với hiệu quả chi phí.**
Đọc thêmGửi yêu cầu