Thành phần ICP phủ SiC của Semicorex được thiết kế dành riêng cho các quy trình xử lý wafer nhiệt độ cao như epitaxy và MOCVD. Với lớp phủ tinh thể SiC mịn, chất mang của chúng tôi cung cấp khả năng chịu nhiệt vượt trội, đồng đều nhiệt và kháng hóa chất lâu bền.
Đọc thêmGửi yêu cầuKhi nói đến các quy trình xử lý wafer như epitaxy và MOCVD, Lớp phủ SiC nhiệt độ cao của Semicorex cho các buồng khắc plasma là lựa chọn hàng đầu. Chất mang của chúng tôi cung cấp khả năng chịu nhiệt vượt trội, đồng đều nhiệt và kháng hóa chất lâu bền nhờ lớp phủ tinh thể SiC mịn của chúng tôi.
Đọc thêmGửi yêu cầuKhay khắc plasma ICP của Semicorex được thiết kế dành riêng cho các quy trình xử lý tấm wafer ở nhiệt độ cao như epitaxy và MOCVD. Với khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, ổn định lên đến 1600°C, các chất mang của chúng tôi cung cấp các cấu hình nhiệt đồng đều, mô hình dòng khí thành lớp và ngăn ngừa nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất.
Đọc thêmGửi yêu cầuChất mang phủ SiC của Semicorex cho Hệ thống khắc plasma ICP là một giải pháp đáng tin cậy và tiết kiệm chi phí cho các quy trình xử lý tấm wafer ở nhiệt độ cao như epitaxy và MOCVD. Chất mang của chúng tôi có lớp phủ tinh thể SiC mịn mang lại khả năng chịu nhiệt vượt trội, đồng đều nhiệt và kháng hóa chất lâu bền.
Đọc thêmGửi yêu cầuChất nhạy được phủ cacbua silic của Semicorex dành cho Plasma cảm ứng (ICP) được thiết kế dành riêng cho các quy trình xử lý tấm wafer ở nhiệt độ cao như epitaxy và MOCVD. Với khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, ổn định lên đến 1600°C, các chất mang của chúng tôi đảm bảo biên dạng nhiệt đồng đều, mô hình dòng khí phân lớp và ngăn ngừa nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất.
Đọc thêmGửi yêu cầuGiá đỡ tấm bán dẫn khắc ICP của Semicorex là giải pháp hoàn hảo cho các quy trình xử lý tấm bán dẫn ở nhiệt độ cao như epitaxy và MOCVD. Với khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, ổn định lên đến 1600°C, các chất mang của chúng tôi đảm bảo biên dạng nhiệt đồng đều, mô hình dòng khí phân lớp và ngăn ngừa nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất.
Đọc thêmGửi yêu cầu