- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Công nghiệp Tin tức
Vai trò quan trọng của chất nền SiC và sự phát triển tinh thể trong ngành bán dẫn
Trong chuỗi công nghiệp cacbua silic (SiC), các nhà cung cấp chất nền nắm giữ đòn bẩy đáng kể, chủ yếu là do sự phân bổ giá trị. Chất nền SiC chiếm 47% tổng giá trị, tiếp theo là lớp epiticular ở mức 23%, trong khi thiết kế và sản xuất thiết bị chiếm 30% còn lại. Chuỗi giá trị đảo ngược này bắt nguồ......
Đọc thêm
Ứng dụng SiC và GaN trong xe điện
MOSFET SiC là các bóng bán dẫn có mật độ năng lượng cao, hiệu suất được cải thiện và tỷ lệ hỏng hóc thấp ở nhiệt độ cao. Những ưu điểm này của SiC MOSFET mang lại nhiều lợi ích cho xe điện (EV), bao gồm phạm vi lái xe dài hơn, sạc nhanh hơn và xe điện chạy pin (BEV) có chi phí thấp hơn. Trong 5 năm ......
Đọc thêm
Chất bán dẫn thế hệ thứ 4 Gallium Oxide/β-Ga2O3
Thế hệ vật liệu bán dẫn đầu tiên chủ yếu được đại diện bởi silicon (Si) và germanium (Ge), bắt đầu phát triển vào những năm 1950. Germanium chiếm ưu thế trong những ngày đầu và chủ yếu được sử dụng trong các bóng bán dẫn và bộ tách sóng quang điện áp thấp, tần số thấp, công suất trung bình, nhưng do......
Đọc thêm
Tăng trưởng epiticular không có khuyết tật và sai lệch vị trí
Sự tăng trưởng epiticular không có khuyết tật xảy ra khi một mạng tinh thể có hằng số mạng gần như giống hệt với mạng khác. Sự tăng trưởng xảy ra khi các vị trí mạng của hai mạng ở vùng giao diện gần như khớp nhau, điều này có thể xảy ra với sự không khớp mạng nhỏ (dưới 0,1%). Sự kết hợp gần đúng nà......
Đọc thêm
