Tin tức ngành - Công ty TNHH Công nghệ Vật liệu Tiên tiến Semicorex

Epitaxy SiC

Có hai loại epitaxy: đồng nhất và không đồng nhất. Để sản xuất các thiết bị SiC có điện trở cụ thể và các thông số khác cho các ứng dụng khác nhau, chất nền phải đáp ứng các điều kiện của epitaxy trước khi bắt đầu sản xuất. Chất lượng của epit Wax ảnh hưởng đến hiệu suất của thiết bị.

Đọc thêm

Khắc khô và khắc ướt

Trong chế tạo chất bán dẫn, khắc axit là một trong những bước quan trọng, cùng với quang khắc và lắng đọng màng mỏng. Nó liên quan đến việc loại bỏ các vật liệu không mong muốn khỏi bề mặt của tấm bán dẫn bằng phương pháp hóa học hoặc vật lý. Bước này được thực hiện sau khi phủ, quang khắc và phát t......

Đọc thêm

Sự lệch vị trí trong tinh thể SiC

Chất nền SiC có thể có các khuyết tật vi mô, chẳng hạn như Trật khớp vít ren (TSD), Trật khớp cạnh ren (TED), Trật khớp mặt phẳng cơ sở (BPD) và các khuyết tật khác. Những khiếm khuyết này là do sự sai lệch trong cách sắp xếp các nguyên tử ở cấp độ nguyên tử.

Đọc thêm

Về khuyết tật trong tinh thể SiC - Micropipe

Chất nền SiC có thể có các khuyết tật vi mô, chẳng hạn như Trật khớp vít ren (TSD), Trật khớp cạnh ren (TED), Trật khớp mặt phẳng cơ sở (BPD) và các khuyết tật khác. Những khiếm khuyết này là do sự sai lệch trong cách sắp xếp các nguyên tử ở cấp độ nguyên tử. Tinh thể SiC cũng có thể có các sai lệch......

Đọc thêm

Tại sao nên chọn phương pháp epitaxy pha lỏng?

So với phương pháp PVT, phương pháp pha lỏng để nuôi SiC có những ưu điểm sau:

Đọc thêm

Epitaxy pha lỏng là gì?

Phương pháp pha lỏng gần với điều kiện cân bằng nhiệt động hơn và có thể phát triển tinh thể SiC với chất lượng tốt hơn.

Đọc thêm

Công nghiệp Tin tức

Epitaxy SiC

Khắc khô và khắc ướt

Sự lệch vị trí trong tinh thể SiC

Về khuyết tật trong tinh thể SiC - Micropipe

Tại sao nên chọn phương pháp epitaxy pha lỏng?

Epitaxy pha lỏng là gì?