Giai đoạn cơ bản nhất của tất cả các quá trình là quá trình oxy hóa. Quá trình oxy hóa là đặt tấm wafer silicon trong môi trường có các chất oxy hóa như oxy hoặc hơi nước để xử lý nhiệt ở nhiệt độ cao (800 ~ 1200oC) và phản ứng hóa học xảy ra trên bề mặt của tấm wafer silicon để tạo thành màng oxit ......
Đọc thêmSự phát triển của epit Wax GaN trên chất nền GaN đặt ra một thách thức đặc biệt, bất chấp những đặc tính ưu việt của vật liệu khi so sánh với silicon. Epit Wax GaN mang lại những lợi thế đáng kể về độ rộng vùng cấm, độ dẫn nhiệt và điện trường đánh thủng so với vật liệu gốc silicon. Điều này khiến v......
Đọc thêmCác chất bán dẫn có dải thông rộng (WBG) như Silicon Carbide (SiC) và Gallium Nitride (GaN) được kỳ vọng sẽ đóng vai trò ngày càng quan trọng trong các thiết bị điện tử công suất. Chúng mang lại một số lợi thế so với các thiết bị Silicon (Si) truyền thống, bao gồm hiệu suất, mật độ năng lượng và tần......
Đọc thêm