Sự phát triển của 3C-SiC, một dạng polytype quan trọng của cacbua silic, phản ánh sự tiến bộ không ngừng của khoa học vật liệu bán dẫn. Vào những năm 1980, Nishino và cộng sự. lần đầu tiên đạt được màng 3C-SiC dày 4 μm trên đế silicon bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD)[1], đặt nền móng cho......
Đọc thêmCác lớp silicon cacbua (SiC) dày, có độ tinh khiết cao, thường vượt quá 1mm, là thành phần quan trọng trong nhiều ứng dụng có giá trị cao khác nhau, bao gồm chế tạo chất bán dẫn và công nghệ hàng không vũ trụ. Bài viết này đi sâu vào quy trình Lắng đọng hơi hóa học (CVD) để sản xuất các lớp như vậy,......
Đọc thêmMỗi loại silicon đơn tinh thể và silicon đa tinh thể đều có những ưu điểm riêng và các tình huống áp dụng. Silicon đơn tinh thể thích hợp cho các sản phẩm điện tử và vi điện tử hiệu suất cao do tính chất cơ và điện tuyệt vời của nó. Mặt khác, silicon đa tinh thể chiếm ưu thế trong lĩnh vực pin mặt t......
Đọc thêmTrong quá trình chuẩn bị wafer, có hai liên kết cốt lõi: một là chuẩn bị chất nền và hai là thực hiện quy trình epiticular. Chất nền, một tấm wafer được làm cẩn thận bằng vật liệu tinh thể bán dẫn đơn, có thể được đưa trực tiếp vào quy trình sản xuất tấm wafer làm cơ sở để sản xuất các thiết bị bán ......
Đọc thêmLắng đọng hơi hóa học (CVD) là một kỹ thuật lắng đọng màng mỏng linh hoạt được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn để chế tạo các màng mỏng phù hợp, chất lượng cao trên các chất nền khác nhau. Quá trình này bao gồm các phản ứng hóa học của tiền chất khí trên bề mặt chất nền được nung nó......
Đọc thêm