> Tin tức

Tin tức

Vai trò quan trọng của chất nền SiC và sự phát triển tinh thể trong ngành bán dẫn

Trong chuỗi công nghiệp cacbua silic (SiC), các nhà cung cấp chất nền nắm giữ đòn bẩy đáng kể, chủ yếu là do sự phân bổ giá trị. Chất nền SiC chiếm 47% tổng giá trị, tiếp theo là lớp epiticular ở mức 23%, trong khi thiết kế và sản xuất thiết bị chiếm 30% còn lại. Chuỗi giá trị đảo ngược này bắt nguồ......

Đọc thêm

Ứng dụng SiC và GaN trong xe điện

MOSFET SiC là các bóng bán dẫn có mật độ năng lượng cao, hiệu suất được cải thiện và tỷ lệ hỏng hóc thấp ở nhiệt độ cao. Những ưu điểm này của SiC MOSFET mang lại nhiều lợi ích cho xe điện (EV), bao gồm phạm vi lái xe dài hơn, sạc nhanh hơn và xe điện chạy pin (BEV) có chi phí thấp hơn. Trong 5 năm ......

Đọc thêm

Chất bán dẫn thế hệ thứ 4 Gallium Oxide/β-Ga2O3

Thế hệ vật liệu bán dẫn đầu tiên chủ yếu được đại diện bởi silicon (Si) và germanium (Ge), bắt đầu phát triển vào những năm 1950. Germanium chiếm ưu thế trong những ngày đầu và chủ yếu được sử dụng trong các bóng bán dẫn và bộ tách sóng quang điện áp thấp, tần số thấp, công suất trung bình, nhưng do......

Đọc thêm

Tăng trưởng epiticular không có khuyết tật và sai lệch vị trí

Sự tăng trưởng epiticular không có khuyết tật xảy ra khi một mạng tinh thể có hằng số mạng gần như giống hệt với mạng khác. Sự tăng trưởng xảy ra khi các vị trí mạng của hai mạng ở vùng giao diện gần như khớp nhau, điều này có thể xảy ra với sự không khớp mạng nhỏ (dưới 0,1%). Sự kết hợp gần đúng nà......

Đọc thêm

Quá trình oxy hóa

Giai đoạn cơ bản nhất của tất cả các quá trình là quá trình oxy hóa. Quá trình oxy hóa là đặt tấm wafer silicon trong môi trường có các chất oxy hóa như oxy hoặc hơi nước để xử lý nhiệt ở nhiệt độ cao (800 ~ 1200oC) và phản ứng hóa học xảy ra trên bề mặt của tấm wafer silicon để tạo thành màng oxit ......

Đọc thêm

Tại sao Epit Wax Gllium Nitride (GaN) không phát triển trên chất nền GaN?

Sự phát triển của epit Wax GaN trên chất nền GaN đặt ra một thách thức đặc biệt, bất chấp những đặc tính ưu việt của vật liệu khi so sánh với silicon. Epit Wax GaN mang lại những lợi thế đáng kể về độ rộng vùng cấm, độ dẫn nhiệt và điện trường đánh thủng so với vật liệu gốc silicon. Điều này khiến v......

Đọc thêm

<...9 10 11 12 13...30 >