> Tin tức

Tin tức

Tiến độ nghiên cứu lớp phủ TaC trên bề mặt vật liệu gốc cacbon

Các vật liệu dựa trên carbon như than chì, sợi carbon và vật liệu tổng hợp carbon/carbon (C/C) được biết đến với cường độ riêng cao, mô đun riêng cao và tính chất nhiệt tuyệt vời, khiến chúng phù hợp với nhiều ứng dụng nhiệt độ cao. . Những vật liệu này được sử dụng rộng rãi trong ngành hàng không v......

Đọc thêm

Những ứng dụng nào của chất nền Gallium Nitride (GaN)?

Gallium Nitride (GaN) là vật liệu quan trọng trong công nghệ bán dẫn, được biết đến với các đặc tính quang học và điện tử đặc biệt. GaN, với tư cách là chất bán dẫn dải rộng, có năng lượng vùng cấm xấp xỉ 3,4 eV, khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng tần số cao và công suất cao.

Đọc thêm

Đánh giá về 9 kỹ thuật thiêu kết cho gốm sứ cacbua silic

Cacbua silic (SiC), một loại gốm kết cấu nổi bật, nổi tiếng với các đặc tính đặc biệt, bao gồm độ bền nhiệt độ cao, độ cứng, mô đun đàn hồi, chống mài mòn, dẫn nhiệt và chống ăn mòn. Những thuộc tính này làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng, từ sử dụng công nghiệp truyền thống trong đồ nội thất lò ......

Đọc thêm

Những thách thức kỹ thuật trong lò tăng trưởng tinh thể cacbua silic

Lò nung tinh thể silic cacbua (SiC) là nền tảng của quá trình sản xuất tấm bán dẫn SiC. Mặc dù có những điểm tương đồng với các lò tăng trưởng tinh thể silicon truyền thống, lò SiC phải đối mặt với những thách thức đặc biệt do điều kiện phát triển khắc nghiệt của vật liệu và cơ chế hình thành khuyết......

Đọc thêm

Công nghệ tinh chế than chì trong chất bán dẫn SiC

Than chì rất quan trọng trong việc sản xuất chất bán dẫn Silicon Carbide (SiC), được biết đến với các đặc tính nhiệt và điện đặc biệt. Điều này làm cho SiC trở nên lý tưởng cho các ứng dụng năng lượng cao, nhiệt độ cao và tần số cao. Trong sản xuất chất bán dẫn SiC, than chì thường được sử dụng cho ......

Đọc thêm

Phương pháp tăng trưởng tinh thể GaN

Khi sản xuất chất nền đơn tinh thể GaN cỡ lớn, HVPE hiện là lựa chọn tốt nhất để thương mại hóa. Tuy nhiên, nồng độ chất mang phía sau của GaN đã tăng trưởng không thể được kiểm soát chính xác.

Đọc thêm

<...5 6 7 8 9...30 >