Gần đây, Infineon Technologies đã công bố phát triển thành công công nghệ wafer Gallium Nitride (GaN) công suất 300mm đầu tiên trên thế giới.
Ba phương pháp chính được sử dụng trong sản xuất silicon đơn tinh thể là phương pháp Czochralski (CZ), phương pháp Kyropoulos và phương pháp Vùng nổi (FZ).
Quá trình oxy hóa đóng một vai trò quan trọng trong việc ngăn ngừa những vấn đề như vậy bằng cách tạo ra một lớp bảo vệ trên tấm bán dẫn, được gọi là lớp oxit, hoạt động như một rào cản giữa các hóa chất khác nhau.
Silicon nitride (Si3N4) là vật liệu quan trọng trong việc phát triển gốm sứ kết cấu nhiệt độ cao tiên tiến.
Quá trình khắc: Silicon so với Silicon Carbide
Trong sản xuất chất bán dẫn, độ chính xác và ổn định của quá trình ăn mòn là điều tối quan trọng. Một yếu tố quan trọng để đạt được chất lượng khắc cao là đảm bảo rằng các tấm bán dẫn phẳng hoàn toàn trên khay trong suốt quá trình.