Quá trình ủ, còn được gọi là ủ nhiệt, là một bước quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn.
Khi làm sạch tấm wafer, làm sạch siêu âm và làm sạch siêu âm thường được sử dụng để loại bỏ các hạt khỏi bề mặt wafer.
4H-SiC, với tư cách là vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba, nổi tiếng với dải tần rộng, độ dẫn nhiệt cao và độ ổn định nhiệt và hóa học tuyệt vời, khiến nó có giá trị cao trong các ứng dụng năng lượng cao và tần số cao.
Lò tăng trưởng tinh thể đơn bao gồm sáu hệ thống chính hoạt động hài hòa để đảm bảo tăng trưởng tinh thể hiệu quả và chất lượng cao.
Gần đây, Infineon Technologies đã công bố phát triển thành công công nghệ wafer Gallium Nitride (GaN) công suất 300mm đầu tiên trên thế giới.
Ba phương pháp chính được sử dụng trong sản xuất silicon đơn tinh thể là phương pháp Czochralski (CZ), phương pháp Kyropoulos và phương pháp Vùng nổi (FZ).