Tin tức

Quá trình của SiC epiticular là gì?

Trong lĩnh vực điện áp cao, đặc biệt đối với các thiết bị điện áp cao trên 20.000V, công nghệ epitaxy SiC vẫn phải đối mặt với một số thách thức. Một trong những khó khăn chính là đạt được độ đồng nhất, độ dày và nồng độ pha tạp cao trong lớp epiticular. Để chế tạo các thiết bị điện áp cao như vậy, ......

Sự tăng trưởng đáng kể của thị trường chất nhạy than chì phủ SiC

MOCVD là thiết bị chủ chốt

Vốn cho các dự án bán dẫn

Mọi quốc gia đều nhận thức được tầm quan trọng của chip và hiện đang đẩy nhanh việc xây dựng hệ sinh thái chuỗi cung ứng sản xuất chip của riêng mình để ngăn chặn vấn đề thiếu hụt chip khác. Nhưng các xưởng đúc tiên tiến không có nhà thiết kế chip thế hệ tiếp theo sẽ giống như Fabs không có Chip.

TSMC: Sản xuất thử nghiệm rủi ro quy trình 2nm vào năm tới

Trong báo cáo thường niên mới phát hành, Chủ tịch TSMC Deyin Liu và Giám đốc điều hành Chieh-Jia Wei đã tiết lộ tiến trình liên quan đến quy trình 2nm.

Các kịch bản ứng dụng cho các lớp Epitaxy

Chúng tôi biết rằng các lớp epitaxy tiếp theo cần được xây dựng trên một số chất nền wafer để chế tạo thiết bị, điển hình là các thiết bị phát sáng LED, yêu cầu các lớp epitaxy GaAs trên chất nền silicon; Các lớp epitaxy SiC được phát triển trên bề mặt SiC dẫn điện để chế tạo các thiết bị như SBD, M......