Gần đây, công ty chúng tôi thông báo rằng công ty đã phát triển thành công tinh thể đơn Gallium Oxide 6 inch bằng phương pháp đúc, trở thành công ty công nghiệp hóa trong nước đầu tiên làm chủ công nghệ chuẩn bị chất nền đơn tinh thể Gallium Oxide 6 inch.
Đọc thêmQuá trình tăng trưởng silicon đơn tinh thể chủ yếu xảy ra trong trường nhiệt, trong đó chất lượng của môi trường nhiệt ảnh hưởng đáng kể đến chất lượng tinh thể và hiệu quả tăng trưởng. Thiết kế của trường nhiệt đóng vai trò then chốt trong việc định hình gradient nhiệt độ và động lực dòng khí trong......
Đọc thêmCacbua silic (SiC) là vật liệu sở hữu năng lượng liên kết cao, tương tự như các vật liệu cứng khác như kim cương và boron nitrit khối. Tuy nhiên, năng lượng liên kết cao của SiC gây khó khăn cho việc kết tinh trực tiếp thành thỏi thông qua các phương pháp nấu chảy truyền thống. Do đó, quá trình phát......
Đọc thêmVật liệu bán dẫn có thể được chia thành ba thế hệ theo trình tự thời gian. Thế hệ đầu tiên của germanium, silicon và các vật liệu đơn chất phổ biến khác, được đặc trưng bởi sự chuyển đổi thuận tiện, thường được sử dụng trong các mạch tích hợp. Thế hệ thứ hai của gallium arsenide, indium phosphide và......
Đọc thêm